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MultiCrystallizer:面向光伏产业的设备研发新进展

来源:融合网|DWRH.net 作者:王月宝 责任编辑:admin 发表时间:2011-06-16 11:22 
核心提示:融合网|DWRH.net 2011年6月16日报道,位于德国 Wettenberg 的硅晶体生长设备及高温真空设备制造商PVA TePla AG ,近日将正式推出其最新研发并具备更大加料量的第五代多晶硅铸锭设备(G5)。该新型产品被命名为 MultiCrystallizer VGF732Si HC。 Multi Crysta

融合网|DWRH.net   2011年6月16日报道,位于德国 Wettenberg 的硅晶体生长设备及高温真空设备制造商PVA TePla AG ,近日将正式推出其最新研发并具备更大加料量的第五代多晶硅铸锭设备(G5)。该新型产品被命名为 MultiCrystallizer VGF732Si HC。

Multi Crystallizer 是一种采用定向凝固法(基于垂直梯度定向凝固的生产工艺)制备多晶硅锭的设备,由该设备生产的硅铸锭被进一步加工生产后,用于制取光伏产业所必需的多晶硅片。

新型 HC 设备,通过使用较高 G5 的坩埚(G5:坩埚高度 480-520mm;旧标准:420mm)从而得以实现最大560公斤的高装料量。

该型设备具备独特的热场温控系统,通过热区卓越的温度均匀性,使得铸锭直至外表面都可以实现柱状凝固,为理想的高铸锭工艺创造了完美的条件,本机生产的高铸锭具备与之前由 420mm 坩埚制备的硅锭相同的晶体质量水平。从该硅锭中生产出的硅片电池效率较行业标准平均高出0.4个百分点,并且硅锭良品率达到了75%(硅锭可用重量相对于硅锭总重量)。

通过较高的装料量,可在 480mm 坩埚内得到最佳高度 250mm 的硅块,该有效高度值意味着硅片切割的最高利用率,并且由此为客户带来经济效益的显著提高。

此外鉴于 MultiCrystallizer VGF732Si HC 设备的独立加热和冷却方式,该设备同样特别适用于准单晶制备工艺。晶体生长工艺中稳定的结晶面可避免故障的发生,并且有助于获得最佳的准单晶结构。

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