TSMC完成28纳米芯片设计生态环境建构(2)
2.5-D硅基板
基本上2.5D芯片的设计是由硅基板将多层芯片整合起来，此硅基板可应用于不同的技术。参考流程12.0版在平面规划（floorplanning）、配置与绕线（Place&Route）、电阻压降（IR-drop）及热分析（thermalanalysis）上具备新的设计能力，可同时应用于多个制程及2.5D芯片测试设计。
28纳米功率、效能及DFM设计的强化
在精细几何技术上，电线及通道电阻的时序降低日益明显。参考流程12.0版推出强化绕线的方法：将通道数量减到最小、改变绕线布局、或将电线加宽以减轻电线与通道电阻的冲击。漏电流增加是因为在28纳米制程上的临界电压（thresholdvoltage）与闸极氧化层（gateOxide）厚度增加。多模多角（multi-modemulti-corner）的漏电优化可提供不同的电压选择与门极偏压库，让设计者更有效的减少漏电。最后，为了尽量缩短28纳米热点检查及修正的设计时间，DFM数据套件（DDK）加入一具新的「热点过滤引擎」以提高model-based可制造性设计分析的速度。
模拟/混合讯号参考流程2.0版
当设计厂商客制化28纳米芯片时，模拟/混合讯号参考流程2.0版能帮助确保DFM与RDR之间的兼容性。此参考流程提供正确的设计结构及选择设定以使用TSMC的PDK与DFM。此外，TSMC将累积所学的可靠性与生态系统伙伴合作，共同推出新颖的方法滤除可能的缺陷。TSMC和二十一家开放创新平台生态系统伙伴将连手展示参考流程12.0版及模拟/混合讯号参考流程2.0版的特性与优点。
射频参考设计套件3.0版
TSMC将推出最新的射频设计套件（RFRDK3.0）给射频设计厂商使用，该设计套件内建先进的硅相关60GHz毫米波设计套件，也提供客户创新的方法，透过电磁模拟使用自行选择的电感器进行设计。
关于开放创新平台
OIP系在芯片设计产业、TSMC设计生态系统合作伙伴以及TSMC的硅知识产权、芯片设计与可制造性设计服务、制程技术以及后段封装测试服务之间加速实时创新。它拥有多个互通的设计生态系统接口以及由TSMC与合作伙伴协同开发出的构成要素，这些构成要素系由TSMC主动发起或提供支持。透过这些接口以及基本组件，可以更有效率地加速整个半导体产业供应链每个环节的创新，并促使整个产业得以创造及分享更多的价值。此外，TSMC的AAA-主动精准保证机制（Active Accuracy Assurance Initiative）是开放创新平台中的另一重要关键，能够确保上述接口及基本组件的精确度及质量。
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