TSMC完成28纳米芯片设计生态环境建构
TSMC昨(26)日宣布,已顺利在开放创新平台(Open Innovation PlatformTM)上,建构完成28纳米设计生态环境,同时客户采用TSMC开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案(tapeout)数量已经达到89个。TSMC亦将于美国加州圣地亚哥举行的年度设计自动化会议(DAC)中,发表包括参考流程12.0版(Reference Flow12.0)、模拟/混合讯号参考流程2.0版(Analog/Mixed Signal Reference Flow2.0)等多项最新的客制化设计工具,强化既有的开放创新平台设计生态环境。
TSMC28纳米设计生态环境已准备就绪,提供包括设计法则检查(DRC)、布局与电路比较(LVS)及制程设计套件(PDK)的基础辅助设计;在基础硅知识产权方面有标准组件库(standardcelllibraries)及内存编译程序(memorycompilers);另外,此设计架构亦提供USB、PCI与DDR/LPDDR等标准接口硅知识产权。客户可经由TSMC-online下载这些设计工具与套件。一直以来,TSMC与电子设计自动化伙伴(EDA)在28纳米世代的合作相当紧密,共同追求设计工具的一致性,改善设计结果。目前EDA主要领导厂商Cadence、Synopsys与Mentor运用于28纳米芯片上的可制造性设计统一(UnitedDFM)架构便是一个很好的例子。
TSMC参考流程12.0版新增加许多特色:可应用于透过硅基板(siliconinterposer)及硅穿孔(TSV)技术制造生产的二点五维与三维集成电路(2.5-D/3-DICs)、提高28纳米以模型为基础仿真可制造性设计的速度;此参考流程亦可运用在先进电子系统阶层设计(ESL),整合TSMC的功率、效能及面积制程技术。另外,此参考流程版本将首次呈现TSMC20纳米穿透式双重曝影设计(Transparent Double Patterning)解决方案,持续累积在创新开放平台架构下20纳米的设计能力。另外,模拟/混合讯号参考流程2.0版本提供先进的多伙伴模拟/混合讯号设计流程,协助处理复杂度与日俱增的28纳米制程效能与设计挑战,并解决在高阶可制造性设计(SuperiorDFM)与设计规范限制(RDR)间兼容性及可靠性问题。
TSMC设计暨技术平台处资深处长侯永清表示:“我们相信客户能立即运用TSMC28纳米先进技术及产能优势来生产他们的设计;同时,客户们也能在不久的将来准备向更先进的20纳米世代设计迈进。通过与电子自动化设计厂商和硅知识产权伙伴间的紧密合作,TSMC已经建构了一个完备且稳固的28纳米设计生态系统,成功地协助客户达成产品设计的目标。此外,参考流程12.0版及模拟/混合讯号参考流程2.0版的推出亦能解决应用于下一世代28纳米与20纳米设计上所面临的关键瓶颈。”
参考流程12.0版及20纳米穿透式双重曝影
随着半导体制程技术向前推进,金属导线厚度愈来愈小,目前微影曝光系统的曝影能力已无法因应20纳米制程技术发展。然而,双重曝影(doublepatterning)这项关键技术,使得现行微影技术能够克服成像分辨率的极限,且毋需使用尚未验证的极紫外光(EUV)微影技术。TSMC的穿透式双重曝影解决方案让系统及芯片设计厂商得以顺利迈入20纳米技术,且毋需调整目前的设计方法或参考流程。此项技术已提供给EDA合作伙伴进行相关产品及服务开发,并已经通过验证准备上市。(责任编辑:admin)
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