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某企业采用全新GaAs工艺技术提高光带宽

来源:融合网|DWRH.net 作者:漆惠 白禹 责任编辑:方向 发表时间:2015-04-27 17:29 
核心提示:据融合网|DWRH.net获悉,这种新工艺具备业界领先的可靠性,非常适合100G+线性应用所需的下一代高频高性能放大器。该产品具有CFP2外形尺寸,适合地铁和长距离运输应用,也非常适合升级面向线路卡应用的100G线性双通道驱动器。该产品经过优化,实现高性能和低功

2015年4月27日,某企业日前宣布推出一项全新的砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术,与竞争对手的半导体工艺相比,该技术能够提供更高的增益/带宽和更低的功耗。该公司新推出的TQPHT09是一种90 nm pHEMT工艺,能够支持该公司下一代光产品组合。

据融合网|DWRH.net获悉,这种新工艺具备业界领先的可靠性,非常适合100G+线性应用所需的下一代高频高性能放大器。该产品具有CFP2外形尺寸,适合地铁和长距离运输应用,也非常适合升级面向线路卡应用的100G线性双通道驱动器。该产品经过优化,实现高性能和低功耗,提供高度的通道间隔离,采用14.0×8.0×2.6mm SMT模块封装,具有业界最小的封装尺寸。

(责任编辑:方向)
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