多芯片DRAM封装助力 变形笔电更轻薄

多晶片DRAM封装将加速实现Ultrabook变形设计。英特尔(Intel)力拱的二合一(2-in-1)超轻薄笔电(Ultrabook)，因诉求低价、轻薄与可拆键盘等特色，进而牵动内部零组件设计转变，如华硕、戴尔(Dell)等PC品牌厂已相继导入新型多晶片(Multi-die)DRAM封装，以简化印刷电路板空间(PCB)布局、缩减占位空间及50%以上基板成本。

Invensas副总裁暨技术长RichardCrisp(右)提到，Invensas未来也将积极发展行动装置LPDDR3记忆体技术，扩大营收来源。左为Invensas资深业务发展总监MasonWoodford

Invensas副总裁暨技术长RichardCrisp表示，Ultrabook迈向轻薄设计、中低价位发展，同时还要兼顾运算和记忆体效能，如何在有限的电路板空间中，提升动态随机存取记忆体(DRAM)的容量密度与频宽，已成为PC制造商共同课题；为此，业者除寄望DRAM制程演进外，亦希望革新记忆体晶片封装技术，让PCB空间获得更有效的利用，进而缩减基板成本。

因应市场设计趋势，专攻半导体封装架构与矽智财(IP)方案的Invensas，已利用专利BVA(BondViaArray)封装层叠(PackageonPackage,PoP)技术，开发出多晶片DRAM倒装焊接(FaceDown)方案，包括DFD(DualFaceDown)和QFD(QuadFaceDown)两种。不同于传统DRAM正装焊接法，DFD/QFD可缩减焊线长度及封装厚度，进而降低DDR3、DDR4、LPDDR3记忆体尺寸约75%，并能提高50%以上的频宽、传输速度和散热性能。

Crisp透露，华硕、戴尔今年下半年将推出的新款Ultrabook及平板装置，已抢先导入DFD/QFD解决方案；其中一款预估为笔电/平板二合一产品，足见Invensas封装技术对轻薄行动运算装置设计大有助益。

事实上，业界也看好三星(Samsung)、美光(Micron)力推的WideI/O或HMC(HybridMemoryCube)等新一代3DIC标准，可望让记忆体模组兼具高频宽、低功耗及小尺寸特色。然而，Invensas资深业务发展总监MasonWoodford分析，此两项标准均须导入矽穿孔(TSV)技术，由于制程复杂度极高，且须引进新设备，导致成本高的吓人，良率也尚未跨越量产门槛，短期内将很难在市场上放量。

相较之下，DFD/QFD以一般BGA连接方式堆叠最多两颗DRAM或四颗MobileDRAM晶片，不仅毋须改变生产设备，为封装厂、系统业者省下大量成本，且效能亦可媲美WideI/O目前订定的频宽、速度和功耗等规格，因而受到业界关注。

Crisp强调，PC制造商为加速推升Ultrabook的市场渗透率，正持续降低终端产品售价以刺激消费者采购，对任何系统物料成本势将锱铢必较；由于DFD/QFD封装技术可降低记忆体占位空间，进一步减少5～10美元基板成本，并有助简化PCB布局加速产品上市，可望吸引记忆体封装业者争相授权，并抢进更多PC品牌厂、原始设备制造商(OEM)供应链。