芯片：加快补齐LTE商用“短板”(2)
IC观察
LTE需齐头并进
一个模式的开发和产品推出需要很多投入的资源。在TD-SCDMA/TD-LTE多模的发展上，两者不可能互相替代。目前，中兴微是齐头并进，TDD完成后，目前已在开发FDD。TD-LTE与LTE FDD之间的差异化大大缩小，从协议制定开始，就已考虑两者的融合。
TD-LTE也在国际市场起步发展，由于不同的运营商获得的凭证不一样、推行的业务不一样、面对的客户不一样，所以中国市场需求与国际市场需求是有区别的。虽然国内和国外要遵循统一标准，但在运营订制方面都有个性化的要求。
抓住国内外市场发展的机遇需要做到两点：首先，要有一个完整的战略;其次，要有比较长远的芯片规划。
中兴微成为入围MTNET多模测试第二阶段的三家芯片厂商之一，目前在单模测试上，流量、功耗等方面已达到业界水平。在多模切换上，性能已是业界领先水平。由于LTE是追求流量的大幅度提升，所以在流量方面还有待进一步改善，力争实现产品在复杂外场环境下性能的提高。
对于功耗和制程的挑战，需要在两方面下工夫：一是在设计上下工夫;二是追求工艺上的进步，力争做到28纳米，使功耗降低。
从目前的应用上讲，45纳米工艺终端芯片支持多模手机是没有问题的。LTE真正要把潜能发挥出来，则需要28纳米的工艺。LTE大规模的推出需要等到2013年。
今后多模是主流，单模只是一个暂时的阶段。LTE在协议上没有解决语音通讯的问题，不承载语音业务，把语音通讯下放到2G、3G来解决的。对此，多模将会有更广的应用前景，如果要商用，必须采用多模芯片。
在专利方面，TD-LTE芯片上的专利积累上主要分为标准专利和实践专利。标准专利主要是依靠中兴通讯的专利家庭，所以在通讯标准上的研究投入还是很大的。虽然有一定的风险，但是中兴微在TD-LTE上的专利有一定的话语权。智能手机平台上的专利属于实践专利，在自行研发，不存在风险。
(责任编辑：admin)
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