DDR4 DRAM样品芯片庐山真面目曝光

来源：比特网　作者：佚名　责任编辑：admin　发表时间:2012-02-29 13:39　

核心提示：基本上来说，DDR4 DRAM的研发目标为速度达到DDR3 DRAM的2倍。目前多数高速DDR3 DRAM的传输带宽为1.6Gbps（1666Mbps,等效频率DDR3-1600），DDR4的具体目标自然是达到3.2Gbps。

目前的DRAM市场分两类主流技术：一种是用于服务器和PC的DDR3,另一种是用于智能手机、平板电脑等移动设备的LPDDR2,这些技术具体的指标均由各大半导体公司及其客户组成的业界组织JEDEC所制定。

去年JEDEC在多个会议上陆陆续续公布了一些关于下代内存芯片产品DDR4的技术规格。而本周在旧金山召开的ISSCC 2012学术会议上，更是有厂商拿出了DDR4 DRAM和LPDDR3 DRAM这两款未来主力的实际成品，下面就让我们来看看它们的“庐山真面目”。

DDR4 DRAM的样品芯片速度可达3.3Gbps

基本上来说，DDR4 DRAM的研发目标为速度达到DDR3 DRAM的2倍。目前多数高速DDR3 DRAM的传输带宽为1.6Gbps（1666Mbps,等效频率DDR3-1600），DDR4的具体目标自然是达到3.2Gbps。

JEDEC为DDR4设定的目标是2013年进入服务器领域市场，2014年真正在主流PC市场取代DDR3。换一种说法，就是去年DDR4芯片还没有拿得出手的样品，顶多只是在实验室中能制造出来，比如三星电子在去年1月4日宣布DDR4 DRAM首次开发成功。

不过全球最大存储芯片厂商三星到底不会让我们失望，这次三星和另一家韩国半导体大厂Hynix（海力士半导体）就在ISSCC 2012上拿出了真正的DDR4内存芯片样品。三星电子的样品基于30nm CMOS工艺和3层金属配线技术制造，单颗容量为4Gbit,设定运行电压为1.2V。实际运行的电压为1.14V,测定传输速度为3.3Gbps（DDR4-3300）。当然，在三星20nm半导体生产线已经投入运行的情况下，DDR4 DRAM未来肯定会使用更先进的20nm制程工艺，频率将会比等效3300MHz更高。

ISSCC 2012上三星电子同样发表了它们的LPDDR3样品：单颗容量为4Gbit,基于30nm制造工艺，设定运行电压为1.2V,IO界面为32bit。最高可在85度环境中工作，电压最低可至1.05V,此时运行速度可达1.6Gbps,功耗低至406mW。32bit的整个芯片可达到6.4GByte/s的传输速度。

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