富士通RAM器件结合在芯片的低功耗内存的优点

融合网|DWRH.net   报道，富士通半导体美国公司（TI）7月13日推出了一系列新的先进的铁电随机存取记忆体（TI）产品由富士通设计和制造，以满足在工业系统的需求迅速增加的FRAM，工厂自动化，计量，和许多其它低功耗应用要求高性能，非易失性内存。

新MB85RSxxxSPIFRAM系列包括三种不同的设备：256-Kbit的MB85RS256A，128–Kbit的MB85RS128A和64-Kbit的MB85RS64A。所有三个操作在3.0V和3.6V之间的电压范围，并提供业界领先的10亿美元的读/写周期，以及数据保留10年，在55°C.

新系列是富士通最新的0.18微米（微米）FRAM技术的基础上，采用了最高工作频率为25MHz，比该公司以前的FRAM器件的显着改善。由于电压的助推器是不必要的写作过程中，非常适合用于低功耗应用的新型FRAM。所有MB85RSxxx系列器件提供8引脚塑料SOP封装，与标准的内存的针脚分配，这是与E2PROM的设备完全兼容。

另外的SPIFRAM系列，富士通还开发了具有独立的FRAM器件的I²C（MB85RCxxx系列）和并行接口（MB85Rxxx系列）。这些独立设备的密度从16Kbit到1Mbit的水平和与产品路线图，其中包括更高的密度，以满足未来市场需求。

高密度的RFID芯片同时采样

富士通也是其高性能，高密度的RFID芯片样品。这些高频基于FRAM的RFID产品，符合与ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3标准，可在256字节和2K字节内存的变化。此外，富士通是符合EPC全球第二代RFID标识，采样并提供了FRAM4K字节和一个备用的SPI接口。

富士通公司近期的路线图，包括业界最大64K字节的EPCGlobal的Gen2RFID芯片。这种高密度，基于FRAM的RFID产品系列，使强大的跟踪应用。该芯片提供了在该项目的水平，其中包括不只是一个基本的识别码可追溯审计线索，而且还提供详细的历史，追踪或其他记录，通过供应链，并在其整个生命周期跟踪的对象。由于FRAM具有抗辐射的高耐受性，这些RFID芯片适用于各种医疗和制药应用。

放心可靠，稳定的FRAM供应

行业最大的FRAM的供应商，富士通公司是第一家嵌入到CMOS逻辑FRAM在1998年，在1999年推出业界首个大规模生产。富士通夫妇与优化FRAM设计生产行业的最高质量的FRAM产品，其高度可靠和成熟的制造能力。

富士通半导体美国公司的高级营销经理彭塘他说：“富士通公司最近完成了从公司的较旧的岩手县的制造设施，一个在三重，日本，这已经被制造集成电路用的高效的0.18微米技术几年较新线线的FRAM产品的迁移，”“因为富士通公司拥有的生产基地，公司可以确保一个更加可靠和稳定的供应，以满足FRAM产品的市场需求稳步增长。这是一个关键的优势，富士通为客户提供无晶圆厂供应商，外源的生产，从而可能会受到供应中断。“引公司设计，制造工艺技术和生产进度的控制能力的全球市场带来的好处。

一个数据保留至少10年的非挥发性记忆体，FRAM可以完美地取代所有的电池备份解决方案，使环保产品。FRAM独立内存设备被广泛用于计量和工厂自动化应用，以及在各种工业领域，其中的数据记录，高速的写访问和高耐用性是必不可少的。在FRAM铁电材料具有很强的抗的磁场和辐射，使得它也非常适合应用在医疗，航空航天，食品等行业。