尔必达将销售TSV技术DDR3 SDRAM芯片
最新的消息显示日本尔必达芯片公司近日宣布已经正式开始销售采用穿硅互连技术TSV制造的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品,该DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品由4块2Gb的DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术进行封装为一个1GB容量的DDR3 SDRAM芯片,另外还整合接口功能芯片。
该消息称尔必达方面从2004年就开始对穿硅互连技术TSV进行研发,并获得了日本政府支持的新能源及工业技术发展协会的资金支持和研发支持,而尔必达长期以来就对穿硅互连技术TSV进行了耐心的研发,而在2009年尔必达方面就已经宣布研发出首款采用穿硅互连技术TSV的1Gb密度的DDR3 SDRAM芯片。
采用穿硅互连技术TSV制造的DDR3 SDRAM芯片在笔记本电脑上的应用前景是相当不错的,尔必达方面表示此次推出的采用穿硅互连技术TSV制造的DDR3 SDRAM样品芯片相比普通的笔记本电脑所使用的SODIMM内存内存功耗下降20%而封装面积则下降了70%,因此是更为绿色环保型的设计的内存产品。
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