100G WDM芯片及其器件产业的发展现状
日前，美国运营商Verizon宣布首次为部分欧洲公司部署了基于IP基本标准的长距离100G骨干网络，颇受业界关注。100G被视为下一代光传输技术的主流，试想当100G WDM的时代真正到来时，人们将是怎样的激动心情。但是，100G WDM的相关芯片、器件产业的成熟度关乎着100G WDM的发展需求。那么，目前的100G WDM芯片及其器件是否已经达到它的要求了呢？
中兴通讯承载网总工王加莹认为，目前核心技术ADC+DSP ASIC没有商用芯片。中兴通讯自行研制的芯片，支持SD FEC 120G传输速率，采用40nm ASIC工艺，能够满足100G长距离光传输的技术要求。
烽火通信光网络产品部副总经理范志文表示，100G由于实际波特率仅为28G到32G，当前已成熟商用的40G调制器、驱动器等发送组件和PIN接收机组件等完全可以满足100G的需求。对于100G相干检测所需的窄线宽激光器及相干混频器在2010年也都已成熟。
对于电器件，范志文认为100G芯片的主要瓶颈在于高速ADC和DSP处理芯片上，但其难点并不在于算法本身，而在于芯片封装工艺上。目前世界上最快的ADC达56GS/sec，完全可满足100G需求，DSP芯片预计在2011年就会有商用产品。对于100G Framer来说，2011年也会有商用ASIC出现。
诺基亚西门子通信移动承载及光网络解决方案总监蒋俏峰称，100G的线路侧核心模块基本上各个厂家都在独自开发，在芯片层面，难点在于高速ADC和DSP的ASIC上，不过这是共性问题，目前的技术基本上已经能解决高速芯片的量产，同时，在设计的时侯通过一些特定的滤波处理，一定程度上能降低芯片的采样频率。不同厂家之间的差异主要在于滤波器的类型、电域的均衡处理、DSP的算法以及FEC的选择上，这些细节上的差异会导致最终产品的性能指标的不同。诺西的相干检测100G系统在今年年中就会商用，如今业内的一些100G的试验网很多是基于非相干检测技术的，这不是业界主流的100G网络。
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