三星成众矢之的全球芯片巨头联手反攻

来源：中国企业新闻网　作者：网络　责任编辑：admin　发表时间:2011-05-10 09:23　

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核心提示：全球芯片制造商的竞争激烈。英特尔、尔必达、东芝等主要芯片企业最近纷纷公布了新技术和新产品量产计划。凭借iPhone、iPad在全球掀起一股旋风的苹果也为芯片企业的竞争煽风点火，以降低零配件价格。尤其是，这些企业有可能联手牵制在芯片市场高歌猛进的三星

全球芯片制造商的竞争激烈。英特尔、尔必达、东芝等主要芯片企业最近纷纷公布了新技术和新产品量产计划。

凭借iPhone、iPad在全球掀起一股旋风的苹果也为芯片企业的竞争煽风点火，以降低零配件价格。尤其是，这些企业有可能联手牵制在芯片市场高歌猛进的三星电子，这让三星紧张不已。

英特尔、东芝、尔必达联手反攻

直到21世纪初，三星电子还仅仅是存储芯片领域的强者，在其他领域知名度甚低。但最近迎来智能手机、平板电脑热潮，三星把主营范围扩大到移动中央处理器(CPU)等，把与世界第一大芯片制造商英特尔的占有率差距缩小到5%左右。

苹果首席执行官史蒂夫•乔布斯(左)和英特尔首席执行官保罗•欧德宁

面对三星的追赶，竞争企业一致展开了“牵制三星”的行动。其中最积极的是世界最大的芯片制造商英特尔。主要生产电脑CPU等系统芯片的英特尔挥师进军三星电子的主营领域——存储芯片市场。

英特尔与美国存储芯片企业镁光联起手来。两家公司最近表示，开发出电路间隔只有20纳米的NAND闪存芯片。线路间隔越小，在狭窄的空间就能存储更多的信息，因此芯片企业为了缩小线路间隔展开了激烈竞争。

NAND闪存主要用于手机、游戏机、数码相机等便携式电子产品的存储装置。三星电子是该领域的龙头企业，目前生产27纳米级产品。英特尔计划从年底开始在美国、新加坡工厂量产20纳米级产品，把三星甩在身后。

日本东芝也表示，下半年将与美国SanDisk公司携手合作，量产19纳米级NAND闪存。日本尔必达也宣布在全球率先开发出25纳米级DRAM，并从7月起投入量产。三星正在生产30纳米级DRAM。据悉，25纳米级产品将于年底投入量产。

英特尔不仅致力于研发超精细工艺，而且还推进芯片生产技术的创新。其代表性新技术就是本月4日公布的3D芯片技术。英特尔介绍说：“与以平面型设计的普通芯片相比，3D芯片耗电量减半，性能却提高38%。”

苹果：降低对三星零配件的依赖度

苹果作为三星最大的零配件采购商，也开始牵制三星。最近苹果与三星电子芯片事业部之间的零配件价格谈判被推迟。一位业内人士说：“两家公司在5月初将结束春季价格谈判，但还没有听到开启下一轮谈判的消息。”据认为，苹果为降低“对三星电子的依赖”，对与三星电子的谈判保持谨慎。

美国媒体等外电最近纷纷报道说，苹果正在与英特尔、台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)进行手机用CPU(移动AP)供应谈判。该人士说：“通常开发新AP需要1到2年，因此苹果不可能立即更换供应商。苹果与其他企业进行接触，有可能是为了增加价格谈判筹码。”

据美国市场研究机构iSuppli称，苹果今年将采购162亿美元芯片，力压三星电子和戴尔成为世界第二大芯片采购商。预计明年将击败惠普(HP)，成为最大采购商。

苹果手机用CPU、存储芯片等核心芯片零配件主要从三星购买。今年，三星电子将通过向苹果iPad2供应零配件，获得16亿美元的销售额。对苹果来说，零配件供应商越多越有好处，因此只会对其他芯片企业牵制三星举双手欢迎。

专家们警告说，目前三星的芯片技术在产品合格率和投产时间方面具有优势，但不能掉以轻心。芯片企业一位有关人士说：“在美国硅谷，300名三星电子研究人员正在与苹果共同研发芯片，研发芯片是一件非常复杂的事情，但苹果随时都有可能更换供应商。”(责任编辑：admin)

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