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3G砷化镓PA供货吃紧 CMOS PA攻势再起

来源:新电子 作者:王智弘 责任编辑:admin 发表时间:2018-08-02 11:54 
核心提示:以CMOS功率放大器取代砷化镓功率放大器的发展已被提出多时,但至今仍仅在2G手机市场占有约10%的渗透率。值此3G手机大放异彩,功率放大器需求飙涨之际,CMOS功率放大器业者再度出击,并挟更优异的产品效能与丰沛的制造产能,展开新一波攻势。

以CMOS功率放大器取代砷化镓功率放大器的发展已被提出多时,但至今仍仅在2G手机市场占有约10%的渗透率。值此3G手机大放异彩,功率放大器需求飙涨之际,CMOS功率放大器业者再度出击,并挟更优异的产品效能与丰沛的制造产能,展开新一波攻势。

基于互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术的手机功率放大器(Power Amplifier, PA)再出招。正当智慧型手机出货量快速增长,而采用砷化镓(GaAs)制程的3G手机功率放大器供货却捉襟见肘,CMOS功率放大器业者遂趁虚而入,并以媲美砷化镓功率放大器的效能及脚位相容的产品策略快速抢进,期搭上智慧型手机成长列车,为CMOS功率放大器抢占一席之地。 

3G手机含“金”量高 PA业者争相竞逐

随着全球主要手机制造商与电信业者大举投入智慧型手机市场,3G功率放大器的需求也急遽攀升。尤其智慧型手机多半须支持多个频段,因此相较于2G手机仅需一颗功率放大器,每支智慧型手机则须采用四至六颗,整体有效市场(TAM)更为可观,再加上3G功率放大器技术门槛高,利润率相对较佳,所以,面对如此诱人的商机大饼,除主流的砷化镓功率放大器业者已全力抢攻外,CMOS功率放大器技术支持者也积极展开布局。 

事实上,因应3G手机市场快速激增的需求,包括Skyworks、 RFMD、Anadigics及TriQuint等主要手机功率放大器业者,一方面已持续改善制造良率并强化生产效率,另一方面,也扩大委外代工策略,以增加扩产的弹性,因此,包括稳懋、宏捷等砷化镓晶圆代工厂也可望成为此波发展趋势的受惠者。 

据了解,目前市场上所有的3G功率放大器产品仍以砷化镓技术为主,但由于智慧型手机成长飞快且每支手机所需的3G功率放大器数量为2G手机的四至六倍,整体需求量更为庞大,即便砷化镓业者已尽力扩充产能,仍旧经常发生供不应求的窘境,因而成为CMOS功率放大器业者见缝插针的绝佳时机。 

强打成本/产能优势 CMOS PA抢搭3G潮

Black Sand行销副总裁Jim Nohrden表示,长久以来,砷化镓功率放大器一直有着供应短缺和高成本结构的问题,因此,行动装置制造商正亟需一种可替代的技术方案,而该公司所开发出的CMOS功率放大器,功能与脚位均与砷化镓功率放大器完全相容,可使行动装置制造商轻易将设计转移至CMOS技术,从而获得更低的成本与更可靠的供应链。 

为抢攻3G行动装置市场,Black Sand已研发出BST34与BST35两大3G CMOS功率放大器产品线,并采用台积电130奈米制程生产出六款涵盖多个频段的解决方案。其中,BST34系列是专门设计来取代现有3G砷化镓功率放大器的简易方案,因此功能与脚位与其完全相容。而BST35系列则导入该公司专属的TrueDelivered高效能功率检测器,可提高总辐射功率(TRP)至2dB以上,并可在实际工作环境中降低掉话率,及提高数据传输速率,不论输出功率、线性度、效率和杂讯等效能指标均可达到,甚至超越砷化镓方案。 

Nohrden指出,与砷化镓技术相比,CMOS功率放大器系使用标准的矽材料,而非稀有的金属进行制造,且和现今砷化镓业者合计的总产能相比,CMOS功率放大器拥有更强大的晶圆厂产能奥援,因此,不会像砷化镓一样再三出现短缺情形,成本结构也相对较佳,一旦达到经济规模,价格就可明显降低。此外,也可藉由类比和数位电路的设计,来保护敏感的电晶体,从而提高元件的可靠性。 

两个系列的首款产品将于2月供应样品,并于第二季开始量产,而其余产品也将在第二季陆续推出。Nohrden表示,Black Sand的技术已得到先期客户和行动通讯营运商的正面反应,特别是BST35系列产品,可在不增加额外物料清单(BOM)成本及零件的前提下,协助智慧型手机和数据卡制造商达成工业设计目标,并在实际操作环境中提供确保更快的资料传输速率,格外引人关注。 (责任编辑:admin)

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