中国联通张忠平:TD-LTE芯片有望突破
在今天举办的“2012新一代宽带无线移动通信发展论坛”上,中国联通技术部总经理张忠平表示,目前SoC已成为终端设计芯片的主要趋势,而我国的芯片厂商有望在28nm支撑上取得突破性进展,也就代表TD-LTE芯片有望突破。
在中国,芯片已经成为TD-LTE终端发展的制肘,芯片的成熟将极大地推动国内TD-LTE得发展。
目前,CAT-3芯片(下行100Mbps/上行50Mbps)已经有成熟商用产品。预计CAT-4芯片(下行150Mbps/上行50Mbps)2013年能够成熟商用。而在未来所有芯片均支持多模多频,加速LTE全球渗透。
数据显示,截止到2012年8月份,全球LTE用户数已经将近3000万,其中美日韩占全球总数的92.2%。而到2012年底,预计全球LTE用户将超过5000万,其中亚洲用户将达到2500万。OVUM预计2016年全球LTE用户中TD-LTE用户将达25%。
据统计,全球LTE终端产品达到417款,其中路由器和USB数据卡产品占多数。而智能终端发展迅速,已有83款,占总数的20%。其中700MHz的TD-LTE终端较多。2.6GHz和1.8GHz的FDD-LTE终端迅速增长。
更值得注意的是,在移动互联网业务蓬勃发展、多种无线系统共存的形势下,如何对LTE的未来建设进行统筹规划,是运营商面临的重要挑战。
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