TD-LTE芯片朝多模、低价两大方向发展

来源：eettaiwan　作者：佚名　责任编辑：admin　发表时间:2012-09-26 12:06　

核心提示：针对市场可能走势，DIGITIMESResearch提出建议，虽然快速低价趋势难以避免，然投入的业者仍可运用商业性、技术性策略，达到差异化竞争、专注性竞争等区隔，而非全面落入规模与成本竞争。

DIGITIMESResearch观察与评断TD-LTE(Time-DivisionLong-TermEvolution)现行态势，推估其晶片市场将快速走向多模(Multi-Mode)与低价(Low-Cost)两大方向发展。

致使TD-LTE晶片加速朝多模、低价路线发展的因素有许多，如保障电信营运商与终端用户现有的投资；争取电信设备商、电信营运商自LTE改采TD-LTE。DIGITIMESResearch指出，TD-LTE的业者专利分布不同于LTE；相同发送功率下，TD-LTE需要较多的建置才能达到与LTE相同的覆盖率等。

针对市场可能走势，DIGITIMESResearch提出建议，虽然快速低价趋势难以避免，然投入的业者仍可运用商业性、技术性策略，达到差异化竞争、专注性竞争等区隔，而非全面落入规模与成本竞争。

例如，可在多模晶片中尽可能整合更多相关功能，或只专注于TD-LTE基地台或TD-LTEUSBDongle等特定设备、装置用的晶片上进行最佳化设计，或提供更有力、完善的技术支援服务等。即在商业层面上可选择区隔性、聚焦性发展外，也可运用整合技术优势与服务能力等，达到差异化竞争的效果。

(责任编辑：admin)

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