30nm工艺 三星量产4Gb LPDDR2内存芯片
韩国三星公司于本周宣布，该公司目前已经率先使用30nm工艺开始生产4Gb低功耗DDR2 (LPDDR2) DRAM芯片。这款DRAM芯片将为使得智能手机，平板电脑因此变得更加轻薄，同时也可以让其它移动产品获得更长的电池续航时间。
新的芯片工作频率为1066MHz，这个数字为当前MDDR产品的2倍，后者的运行频率只有333MHz至400MHz。三星公司计划本月开始使用4Gb LPDDR2芯片的1GB (8Gb)产品，同时计划下月推出2GB (16Gb)以满足日益增长的移动DRAM容量的需求。
该内存芯片将有助于相关厂商推出更加轻薄的产品。如果使用以前的产品，生产1GB (8Gb) LPDDR2需要使用4颗2Gb芯片，而如果使用4Gb LPDDR2，那么只需要使用2颗芯片就可以达到相同的容量。这样封装尺寸可以减少20％，由1.0mm减少至0.8mm。同时还可以节能25％。另外与前一代40nm级s 2Gb LPDDR2 DRAM相比，30nm级4Gb LPDDR2 DRAM可以增加产量60％。
三星半导体首席执行官兼总裁Wanhoon Hong表示：“4Gb LPDDR2的量产对于手机产业是一大进步，这可以使得我们的OEM客户能够快速推出与众不同的高性能移动产品。三星将会继续通过提供高性能，高容量绿色内存产品来推动市场的增长。”
三星公司认为基于新的4Gb LPDDR2芯片的解决方案将会让相关厂商从中受益，这将会使得他们推出更具竞争性的产品，比如双核心处理器产品，因为此类产品会需要拥有更高性能和容量的手机内存。
根据iSuppli公司的调研，2009年至2014年，高端智能手机的年增长率将会达到18％，这也将会导致手机内存市场的急速增长，该公司预测手机内存的同期增长率将会达到64％。
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