ASIC和微处理器芯片供电电源(2)
高侧MOSFET
当占空比为10%时，高侧MOSFET 的开关损耗大于导通损耗。由于高侧MOSFET 导通时间很少，导通损耗也就较小，因此低导通电阻就不如低开关损耗那么重要。在开关期间(包括导通和关闭)，MOSFET 必须经受住电压和导通电流。这一电压和电流的乘积决定了MOSFET 的峰值功耗，因此开关时间越短，功耗越低。在选择高侧MOSFET时，要选择低栅极电荷和栅漏电容值的MOSFET，因为这两个参数比低导通电阻更为重要。表1 示出了随着相数的增加，总MOSFET 损耗是如何降低的。
电感器的选择
电感器的数值直接决定了纹波电流峰峰值。允许的纹波电流通常按最大直流输出电流的百分比来计算。在大多数应用中，纹波电流是最大直流输出电流值的20%"40%是比较理想的。
在低核心电压时，电感器电流降低的速度要比电流上升的速度慢。在负载减轻过程中，输出电容器可能会过充电，从而导致输出电压过高的情况。采用较小值的电感器(允许更大的纹波电流-接近40%)，则传输到输出电容上的存储能量更小，因此可尽量减少过压的可能。
热设计
设计采用不同相数时，所需散热器情况的估计。在可提供100"200 LFM的强迫对流冷却系统中，单相设计需要相当大的散热器才能达到0.6 C/W 的热阻。在四相设计中，热阻可提高至2C/W，即使没有散热器和100"200 LFM的空气流，这一热阻值也可容易得到。
设计实例
采用MAX5038 的四相DC/DC 转换器。MAX5038主控制器远程电压检测输入(VSP至VSN 引脚)同时为主控制器和从控制器EAN输入提供信号(DIFF)，从而支持并联工作。MAX5038主控制器还为MAX5038 从控制器提供一个时钟(CLKOUT)。通过将PHASE 引脚悬空，从控制器将90 度相移锁定到CLKIN 信号。通过设置电压误差放大器的增益，误差放大器还可完成动态电压定位功能。采用精确的增益设定电阻可保证精确的负载均衡。电压误差放大器的输出(EAOUT)对每一相负载电流编程。在CLP1和CLP2引脚为每一电流环提供了补偿(未画出)，从而对于大多数交流供电和负载情况都可提供非常稳定的输出。
多相同步直流/直流转换器可有效地为需要1"1.5 V?A及更高电流的ASIC和处理器供电。这解决了电容纹波电流、MOSFET功耗、瞬态响应以及允许的输出纹波电压相关的基本问题。
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