看专家如何判定内存芯片节点制程等级

来源：未知　作者：王月宝　责任编辑：admin　发表时间:2018-07-26 12:08　

核心提示：当初三星公司宣布自己将成为市场上首家推出“30nm级别“DDR3内存芯片产品的公司时，UBM TechInsights网站的分析师便开始焦急地等待对这款产品的实物进行分析的机会，如今他们终于得偿所愿，得到了三星这款编号为 K4B2G0846D的芯片产品实物。

当初三星公司宣布自己将成为市场上首家推出“30nm级别“DDR3内存芯片产品的公司时，UBM TechInsights网站的分析师便开始焦急地等待对这款产品的实物进行分析的机会，如今他们终于得偿所愿，得到了三星这款编号为 K4B2G0846D的芯片产品实物。话题的焦点基本聚集在验证韩国人”30nm级别“的说法是否有理有据，他们的产品又是如何做到这点的这两个问题上。

当然，目前厂商衡量节点关键尺寸的方法有很多种，有些厂商喜欢用栅极长度为节点制程的代号，而有些厂商如Intel则比较强调栅极距（pitch）的尺寸，此前台积电的40nm工艺便曾经引起过相当的争议，因此判断这个问题比较令人信服的方法应该是全面考察这款芯片各部分结构的尺寸，而不是仅仅关注产品中的某种尺寸参数是否满足要求。

那么，采用这种分析方法来分析三星的这款最新内存芯片产品，会得到什么样的结果呢？为了更好地理解三星这款新产品，我们先来看一组该产品与其它几款DDR3芯片产品的尺寸对比数据：

表中我们可以发现一个很有趣的情况，那就是各厂商产品中不同种类半节距尺寸的比值不尽相同，而且这些半节距尺寸与晶体管单元面积的比例关系也各有不同。比如三星公司的产品其浅槽隔离结构的半节距尺寸比字线半节距尺寸明显小一些，而镁光公司的产品情况则恰好相反。

无论如何，芯片厂商升级制程的最终目的应该是缩减单元晶体管的占地面积。从这点上看，三星目前的领先地位是比较明显的。那么他们是如何做到这一点的呢？从上表中我们可以看到，三星各代产品通常会选择将产品的单个特征尺寸进行缩减，将浅槽隔离部分的特征尺寸减少如此多的数值在工程上而言其难度是相当大的。

不过，稍微令我们失望的是，除此之外三星的这款新芯片在晶体管单元结构方面并没有发生多大变化，因此单元晶体管配置方面应该仍然遵循6F2的架构设计，尽管如此其晶体管单元面积仍可相对同样来自三星的48nm产品减小38%，相比镁光的42nm产品则缩减24%左右。(责任编辑：admin)

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