英特尔芯片设计获革命性突破
——首次采用三维晶体管，预计明年年初登陆市场
英特尔公司在晶体管发展上取得革命性重大突破，4日，该公司正式发布了可投入大规模生产的三维结构晶体管，并宣布使用该技术的22纳米芯片将带来37%的性能提升和50%的功耗节省。据悉，此晶体管将首先应用在Ivy Bridge处理器上，预计在今年年底量产，明年年初登陆市场。
晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来，二维晶体管不仅一直在计算机、手机、消费电子产品中得到了广泛应用，还用于汽车、航空、家用电器、医疗设备以及数千种日用设备的电子控制中。新推出的三维三栅极晶体管代表着从二维平面晶体管结构的根本性转变。英特尔公司总裁兼首席执行官欧德宁(Paul Otellini)表示：“英特尔的科学家和工程师通过采用3－D结构，再一次实现了晶体管的革命。随着我们把摩尔定律推进到新的领域，3－D结构将帮助我们打造令人惊叹且能改变世界的设备。”
科学家早就意识到三维结构对于延续摩尔定律的重要意义，因为面对非常小的设备尺寸，物理定律成为晶体管技术进步的障碍。此次新技术的关键在于英特尔能够把全新的三维三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又一个新时代，并且为各种类型设备的下一代创新打开了大门。
摩尔定律预测了硅技术的发展步伐：晶体管密度大约每两年便会增加一倍，同时其功能和性能将提高，而成本则会降低。40多年以来，摩尔定律已经成为半导体行业的基本商业模式。
该公司解释说，与摩天大楼通过向空中拓展而优化利用城市有限空间类似，三维晶体管由于比二维晶体管多出一个垂直结构，使得芯片中的晶体管能被更紧密地封装。
与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米三维三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%。这一惊人的改进意味着它们将是小型手持设备的理想选择，这种设备要求晶体管在运行时只用较少的电力进行“开关”操作。全新的晶体管只需消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中二维平面晶体管一样的性能。
(责任编辑：admin)
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