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惠普计划未来1年半内推出非易失性内存芯片

来源:机房360 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-10-12 12:32 
核心提示:Memristor或称忆阻器技术,它与电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间,忆阻器的电子状态保持不变——就像闪存记忆体一样。这一点它可以和相变记忆体(PCM)竞争。

惠普官员Stan Williams,在对媒体采访时说“我们计划在未来1年半的时间内,推出一种可取代目前市场上闪存芯片的产品(Memristor)。我们还计划将其打造成为可取代SSD的存储解决方案。”

闪存已经基本定型,“现在我们在DRAM动态随机存储器上不断拓展,而且我们有信心在每比特能量转换方面获得2个数量级的改善。”“在实验室我们已经对晶圆实现了数百次的运行测试,”他补充说道。

惠普曾于去年与韩国芯片制造商Hynix建立了合作关系,共同生产下一代非易失性内存产品。

Memristor或称忆阻器技术,它与电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间,忆阻器的电子状态保持不变——就像闪存记忆体一样。这一点它可以和相变记忆体(PCM)竞争。一旦NAND闪存的制程缩小空间耗尽,NAND将无法可靠工作,面临发展瓶颈问题。为此,这时候需要有新的技术加入进来。

忆阻器可以记忆流经它的电荷数量,在某种程度上说,忆阻器在任一时刻的电阻是时间的函数,被称为是电阻电容和电感之外的第四个基本元件。

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