终端决定商用速度：TD-LTE驶入快车道

在近几年的北京国际信息通信展中，LTE是当之无愧的主角。尤其是TD-LTE，作为我国自主知识产权的下一代通信技术，备受业界关注。

2010年的展会上，各参展商重点对TD-LTE的“快”进行了现场演示。其中，多路高清视频传输展现了TD-LTE超快的传输速度，在线互动游戏展示了TD-LTE的低时延、反应快。2011年展会召开恰逢TD-LTE规模试验第一阶段结束，各参展商重点展示了规模试验中取得的一项项成果，展现了TD-LTE产业链的发展之快。

进入2012年，在中国移动提出TD-LTE发展三年计划的激励下，TD-LTE发展速度进一步加快，TD-LTE已经进入发展的快车道。

最明显的用户体验是“快”

相比3G，LTE最明显的特征是“快”。这种快得益于频谱效率的提高，表现为更高的上下行速率。在单载波的情况下，如果使用20MHz+20MHz的带宽，FDD LTE下行峰值速率可以达到150Mbps。而TD-LTE在使用20MHz(3：1时隙配比)的情况下，下行峰值速率能够达到110Mbps。如果引入载波聚合，TD-LTE聚合20MHz+20MHz的情况下，下行峰值速率可以达到220Mbps。不论是110Mbps还是220Mbps，TD-LTE的峰值速率都远远超过了目前国内最快HSPA+的21.6Mbps。

事实上，记者曾多次体验TD-LTE的高速，由于具体环境和网络配置存在差异，TD-LTE的平均下行速率在50Mbps至80Mbps之间。相比3G，TD-LTE在用户体验方面的提高给人留下了深刻的印象，其最突出的特点就是“快”。下载一部高清电影只需要几分钟，下载一首歌曲只需要几秒钟，在线观看高清视频丝毫不需要缓冲。

产业链驶入快车道

TD-LTE虽然速度很快，但在国际上却面临同样很快的FDD LTE的强力竞争。目前，全球已经有49个国家的100家运营商推出了商用LTE服务，而部署TD-LTE网络的运营商仅为11家。要想赶上发展的时间窗口，TD-LTE必须加快发展步伐。

纵观TD-LTE一年来的发展历程，与TD-SCDMA当年的发展速度相比，已经快了很多。2012年年初，中国移动高调宣布了TD-LTE三年部署计划：到2014年，全球建成超过50万个TD-LTE基站，截至2012年底，将在国内建设超过2万个TD-LTE基站。这无疑为产业链吃下了定心丸。

2012年5月，大部分设备厂商都已经完成了规模试验第二阶段的测试，达到了预期的测试目标。随即中国移动在全国开启了多张TD-LTE体验网，高清视频会议、即摄即传等富媒体应用被集中展示。7月，中国移动香港有限公司宣布将在香港建设FDD LTE及TD-LTE无缝双制式融合网络。目前，扩大规模试验网络招标项目已经启动，规模试验城市增加到13个。

一年来，TD-LTE经历了大跨步的发展。关于下一步的扩大规模试验，工业和信息化部电信研究院王志勤表示，第一，要实现TD-LTE扩大规模试验网络与TD-SCDMA现网的功能业务、多模终端、互操作和KPI等，推进产品成熟;第二，与现有核心网、网管、计费等系统的融合测试，面向友好用户的网络质量和业务质量测试，提升用户体验;第三，对网络建设、规划优化、业务开发和运营维护中的关键问题，开展相关研究验证，为商用积累经验;第四，实现祖冲之算法完整性保护、增强型智能天线自适应、LTE支持IPv6、等级4终端、新型天线等验证应用。

终端决定商用速度

如果说TD-LTE正在冲刺商用，那么决定TD-LTE能否达到商用要求的那个关键因素是终端。目前TD-LTE终端主要以数据卡、MiFi、CPE等为主，缺乏商用的手机。而这主要受制于终端芯片的发展。目前，40纳米芯片工艺的处理能力能够支持TD-LTE数据卡终端的使用，但用于手机终端时功耗仍然偏大。在实验室中，采用40纳米工艺的LTE终端芯片的耗电量约为目前3G商用终端的2倍。

因此，发展28纳米工艺的TD-LTE芯片成为目前亟待解决的问题。根据初步数据，28纳米芯片能够节省20%的耗电，而且仍具有优化空间。但目前28纳米芯片因其成本高昂，还不具备大规模量产的能力。尤其是国内芯片制造企业在设计、研发、制造等方面与国际领先企业仍有一定的差距，迫切需要攻克28纳米芯片工艺的技术难点。业内专家预计，2013年的Q3/Q4有望实现包括TD-SCDMA/TD-LTE在内的28纳米多模工程样片多厂商供货，2014年中争取实现TD-LTE的28纳米多模芯片的基本商用化和多厂商供货。