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LED芯片基础知识专题介绍(2)

来源:OFweek 作者:秩名 责任编辑:admin 发表时间:2011-06-17 20:30 
核心提示:四、LED芯片的分类 1、MB芯片定义与特点 定义:MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点: (1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。 Thermal Conductivity GaAs:46W/m-KGaP:77W/

四、LED芯片的分类

1、MB芯片定义与特点

定义:MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点:

(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。

Thermal Conductivity

GaAs:46W/m-KGaP:77W/m-K

Si:125~150W/m-K

Cupper:300~400W/m-k

SiC:490W/m-K

(2)通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。

(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适应于高驱动电流领域。

(4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。

(5)尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB。

2、GB芯片定义和特点

定义:GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点:

(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

(2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。

(3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

(4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

3、TS芯片定义和特点

定义:transparentstructure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。特点:

(1)芯片工艺制作复杂,远高于ASLED。

(2)信赖性卓越。

(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。

(4)应用广泛。

4、AS芯片定义与特点

定义:Absorbablestructure(吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。

大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等。

特点:

(1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。

(2)信赖性优良。

(3)应用广泛。

(责任编辑:admin)
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