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联芯科技完善布局全线出击TD市场(2)

来源:通信世界周刊 作者:通信世界周刊 责任编辑:admin 发表时间:2011-05-09 13:50 
核心提示:TD-LTE芯片突破关键功耗问题 中国移动已经开始在6个城市开展TD-LTE规模试验,而TD-LTE芯片的进展一直缓慢,主流的TD-SCDMA芯片厂商一直没有推出TD-LTE芯片。千呼万唤始出来,本次联芯科技终于发布了TD-LTE芯片LC176

TD-LTE芯片突破关键功耗问题

中国移动已经开始在6个城市开展TD-LTE规模试验,而TD-LTE芯片的进展一直缓慢,主流的TD-SCDMA芯片厂商一直没有推出TD-LTE芯片。千呼万唤始出来,本次联芯科技终于发布了TD-LTE芯片LC1760,而且是业界首款双模芯片。刘积堂表示,联芯科技从2006年开始研发TD-LTE,到今天才推出产品,首先是TD-SCDMA占用了大量的人员和资金,更重要的是,TD-LTE多模要考虑很多兼容性的问题,需要各种系统架构、软硬件测试等,联芯科技一定要做扎实。

联芯科技低调收购的射频芯片公司广晟微电子的射频芯片RS3012确保了双模架构的完成。记者在展示现场看到,采用LC1760的TD-LTE数据卡的体积已经与TD-SCDMA数据卡体积相差无几。刘迪军说,联芯科技是第一家解决了TD-LTE数据卡的功耗和散热问题的厂商,该数据卡最起码不用外接电源使用,可以插在电脑上使用。

目前,LC1760已经开始参与工信部及中国移动的TD-LTE室内测试,并很快将参与到外场规模测试。刘迪军表示,联芯科技在LTE市场的思路将会继续继承TD-SCDMA的思路,要做老百姓用得上、用得起的LTE终端芯片以及解决方案。同时,联芯科技还将在明年推支持TD-SCDMA、FDD LTE、TD-LTE的多模芯片LC1761。

与此同时,联芯科技在芯片工艺方面也有着完整的时间表,继去年推出90nm和65nm的芯片之后,今年三款芯片中有两款采用了55nm的工艺,而在今年年底时候推出的芯片将采用40nm的工艺。刘积堂解释到,联芯科技的40nm和其他厂商的还不太一样,联芯科技将40nm做得更加彻底,整个芯片所有SIP都是40nm,这样芯片的尺寸就更小,成本和功耗更低,2013年,28nm工艺将被开始采用。

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