联电完成14nm制程FinFET结构晶体管芯片流片
在台积电，Globalfoundries，三星等老牌代工商的冲击下，联电在代工行业的排名一再下跌，更何况Intel也开始染指代工市场。在之前一轮的28nm HKMG制程技术竞赛中，联电便落在了台积电的后面，所幸联电后来与IBM技术发展联盟达成了协议，要共同开发14/10nm级别FinFET制程技术。
当然，要把虚的电路设计高效快速地转换成实的可制造性好的实际电路布局，还离不开EDA软件的帮忙，这次联电的流片设计就是在Synopsys 的DesignWare和StarRC两款EDA软件的帮助下实现的。
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