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采用14nm制程!三星成功试生产FinFET芯片

来源:未知 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2012-12-25 15:14 
核心提示:这款14nm工艺的FinFET芯片和现有产品相比,可以大幅改善电力以及性能表现,同时能够将漏电率控制在很低的水平。三星表示,这款芯片是与ARM、Cadence、Mentor以及Synopsis共同合作的成果。不过,它的上市时间目前肯定还无法确定,但对于我们用户来说,当然是希

前不久我们知道,三星正在研发14nm制程的芯片。现在我们得到消息,三星已经成功试产首款14nm制程FinFET芯片。这对三星来说也能算是双喜临门:不久之前三星申请扩建美国德州奥斯丁晶片生产线的计划获得了批准。

这款14nm工艺的FinFET芯片和现有产品相比,可以大幅改善电力以及性能表现,同时能够将漏电率控制在很低的水平。三星表示,这款芯片是与ARM、Cadence、Mentor以及Synopsis共同合作的成果。不过,它的上市时间目前肯定还无法确定,但对于我们用户来说,当然是希望尽早能够在市场上见到它。

(责任编辑:admin)
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