三星力拼台积电成功试产14nm FinFET测试芯片

来源：经济日报　作者：佚名　责任编辑：admin　发表时间:2012-12-25 14:18　

核心提示：晶圆代工行动装置芯片商机大，FinFET技术可以解决不断微缩的纳米芯片的漏电问题。三星原本预计14纳米FinFET于2014年量产，与台积电规划的16纳米FinFET同步。随着三星14纳米FinFET试产芯片推出，半导体业者认为，三星FinFET不排除提前半年量产。

据国外媒体报导，三星与安谋(ARM)、益华(Cadence)、明导(Mentor)与新思(Synopsis)共同合作，成第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。

三星系统芯片部门主管表示，14纳米FinFET制程技术可提升电子装置效能并降低耗电量，进一步改善行动环境，这也是IBM之后，第2家搭载安谋处理器架构，试产成功的14纳米FinFET测试芯片。

晶圆代工行动装置芯片商机大，FinFET技术可以解决不断微缩的纳米芯片的漏电问题。三星原本预计14纳米FinFET于2014年量产，与台积电规划的16纳米FinFET同步。随着三星14纳米FinFET试产芯片推出，半导体业者认为，三星FinFET不排除提前半年量产。

台积电面临三星来势汹汹的竞争外，格罗方德9月也宣布推出以FinFET导入的14纳米元件，预计2013年底进入客户试产阶段，2014年正式量产;联电则预计2014年试产。

台积电为了防堵竞争对手，预计使用安谋首款64位元处理器「v8」来测试16纳米FinFET制程，预计明年11月推出首款测试芯片，最快2014年量产。

台积电南科14厂将作为第1个量产16纳米FinFET基地，再下一个世代的10纳米FinFET制程，预计于2015年底推出。

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