IMEC发布14nm工艺开发套件测试芯片下半年推出

来源：中电网　作者：佚名　责任编辑：admin　发表时间:2012-03-12 15:33　

核心提示：14纳米PDK作为IMEC Insite合作研究项目的一部分而开发，曾有报道称Altera公司、NVIDIA公司与美国高通公司都是该项目的参与者。但在这份新闻稿中，宣布14纳米PDK时并没有讨论到哪些公司参与了Insite项目。

欧洲微电子研究机构IMEC(比利时鲁汶)日前宣布，已发布了一个早期版本的逻辑工艺开发套件(PDK)，这是业界第一款用以解决14纳米节点逻辑工艺的开发工具包，IMEC表示。

该套件支持多种有可能在14纳米节点应用的技术，包括FinFET器件和极端紫外线光刻技术。它包含了器件紧凑模型，寄生参数提取，设计规则，参数化单元(P-单元)，和基本的逻辑单元，IMEC指出。

14纳米PDK作为IMEC Insite合作研究项目的一部分而开发，曾有报道称Altera公司、NVIDIA公司与美国高通公司都是该项目的参与者。但在这份新闻稿中，宣布14纳米PDK时并没有讨论到哪些公司参与了Insite项目。

IMEC的研究伙伴目前可这个开发工具包的使用权，将来还可以进行后续的更新。IMEC和其合作伙伴正在使用该工具包开发14纳米测试芯片，预计将在2012年下半年发布，IMEC表示。 IMEC拥有一座300毫米研究晶圆厂，其中包括EUV步进光刻机。这是世界上极少有的可以尝试生产14纳米测试芯片的设施。

这套PDK的主要用途之一是帮助公司开发FinFET器件工艺。与传统的平面晶体管技术相比，这些鳍状的晶体管位于晶圆表面，能以很低的电源电压驱动较大面积电路单元，且性能更高。该PDK的一些革命性，还在于有望引进高迁移率沟道材料的使用。这些材料包括锗、化合物半导体材料和石墨。这套PDK还支持浸没式光刻和EUV光刻技术，为从193纳米浸没式逐步过渡到EUV光刻技术开辟了道路。

今年下半年将推出的测试芯片将可进行性能和功耗的物理测量，以及设备、互连、工艺和光刻假定的初次测试。

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