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技术突破:LED芯片抗反向静电能力达到3kV(2)

来源:OFweek 作者:oscar 责任编辑:admin 发表时间:2018-11-06 12:02 
核心提示:LED照明标准规范中规定商业应用的LED最大反向漏电流为50A/ 5V;而研究过程中等离子处理后3齿梳状LED的旁路二极管的泄漏电流在0.02至0.21A之间,符合规范中规定的标准。研究人员相信他们能通过优化等离子处理和梳状

LED照明标准规范中规定商业应用的LED最大反向漏电流为50μA/ –5V;而研究过程中等离子处理后3齿梳状LED的旁路二极管的泄漏电流在0.02至0.21μA之间,符合规范中规定的标准。研究人员相信他们能通过优化等离子处理和梳状接触面来进一步降低反向和正向泄露电流。

ESD特征是通过ESS-606A ESD测试仪测试出来的;该测试仪能根据人体模型发出脉冲。在每次测试之后,-5V的漏电性能被测试出来;如果发现与原始性能之间有30%的差距,那么该设备“Failed”(图2)。传统二极管在300V至500V电压之间的负偏压显示“Failed”,那么延长的3齿梳状n极等离子器件仅在3kV时显示“Failed”。这种正偏压结果被研究人员视为“无法识别”。

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