Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET
日前发布的器件将用于智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源管理应用中的电池或负载开关。MOSFET的外形紧凑小巧，可节省PCB空间并实现超薄的外形，使便携式电子产品变得更薄、更轻，低导通电阻可实现更低的传导损耗，以减少功耗并延长电池寿命。器件的低导通电阻还可以降低负载开关上的压降，避免讨厌的欠压锁定。
这些MOSFET是首批采用这种规格尺寸的产品，采用超高密度技术制造，使用自对齐工艺技术，将10亿个晶体管单元装到1平方英寸的硅片里。通过MICRO FOOT的无封装CSP技术，使器件在给定的外形面积内实现了尽可能低的导通电阻。
12V Si8806DB是P沟道器件，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻为43mΩ。如需要20V电压，Si8812DB提供59mΩ的最大导通电阻。N沟道器件适用于DC/DC升压转化器等高速开关应用，开启/关断时间小于100ns。
20V P沟道Si8817DB和Si8489EDB适用于降压转换器应用。更小的0.8mm x 0.8mmx 0.4mm Si8817DB在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻为76mΩ，可用于空间比导通电阻更重要的应用场合。1mm x 1mm的Si8489EDB在4.5V的导通电阻更低，只有54mΩ，适用于导通电阻更重要的应用。
新款TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
Si8489EDB是首个1mm x 1mm规格尺寸的P沟道Gen III器件，典型ESD保护达2500V。此外，Si8817DB可以在1.5V电压下导通，可以搭配手持设备中常见的更低电压栅极驱动和更低的总线电压一起工作，节省电平转换电路的空间和成本。
器件符合RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的无卤素规定。
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