2012年3D芯片可望实现商用化

来源：EETimes　作者：EETimes　责任编辑：admin　发表时间:2011-12-15 13:58　

核心提示：芯片制造商们一直在努力地使与3D IC互连的TSV技术更加完善。现在，TSV已经可针对2D作业实现最佳化了，例如从平面芯片的正面传送数据到背面的微凸块，采用堆栈芯片的3D IC时代即将来临。

随着目前平面化的芯片开始出现多层式结构，半导体制造的基础将在未来几年发生转变。在全球主要的半导体工程领域花费近十年的时间致力于使得这种结构实现可制造化之后，立体的三维芯片(3D IC)终于可望在明年开始商用化──但这其实也已经远落后于先前规划的时程多年了。

过去几年来，芯片制造商们一直在努力地使与3D IC互连的TSV技术更加完善。现在，TSV已经可针对2D作业实现最佳化了，例如从平面芯片的正面传送数据到背面的微凸块，采用堆栈芯片的3D IC时代即将来临。

去年冬天所举行的国际固态电路会议(ISSCC)上所探讨的主题几乎都是3D芯片，例如三星(Samsung)公司大肆宣传其1Gb行动DRAM，并计划在2013年前量产4Gbit芯片。透过三星的2.5D技术，可使采用TSV的堆栈DRAM与系统级封装(SiP)上的微凸块密切配合。

预计今年秋天就能看到在2.5D技术方面的重大成就──赛灵思(Xilinx)公司将提供一种多级FPGA解决方案，它透过封装技术而使四个平行排列的Virtex-7 FPGA与硅晶内插器上的微凸块实现互连。台湾集成电路制造公司(TSMC)正在制造这种可为FPGA重新分配互连的硅晶内插器──采用一种以‘塌陷高度控制芯片连接’(C4)技术接合基板封装上铜球的TSV技术。台积电承诺可望在明年为其代工客户提供这种突破性的2.5D 至3D过渡技术。

然而，2011年所发布最令人惊喜的3D IC消息来自于IBM公司。该公司最近透露已经秘密地大规模生产可用于大量行动消费电子设备的成熟3D IC，不过使用的仍是低密度的TSV技术。由于累积了相当的技术经验，IBM声称目前已掌握了3D的其它工程障碍，并预计能在2012年时克服这些挑战。

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