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消息称三星新闪存工厂9月开业

来源:新浪 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-07-15 13:22 
核心提示:北京时间7月14日下午消息,据台湾媒体报道,业界消息称,三星新存储半导体加工厂Line-16将在9月份开业,主要生产NAND闪存芯片。 三星该工厂位于韩国京畿道华城Nano City Complex园区,于去年5月动工。三星此前表示,Line-16的12英寸晶圆月产能可达到20万片。

北京时间7月14日下午消息,据台湾媒体报道,业界消息称,三星新存储半导体加工厂Line-16将在9月份开业,主要生产NAND闪存芯片。

三星该工厂位于韩国京畿道华城Nano City Complex园区,于去年5月动工。三星此前表示,Line-16的12英寸晶圆月产能可达到20万片。

东芝近期宣布,其位于日本三重县四日市的第三座12英寸晶圆加工厂Fab 5开业。Fab 5主要以24纳米制程工艺为主,首批晶圆将在8月份交货。东芝表示,Fab 5日后还将过渡到更新的19纳米工艺,但并未提供时间表。

业界认为,随着新产能的上线,三星和东芝之间的竞争将进一步加剧。根据市场调研公司IHS iSuppli发布的数据,东芝今年一季度闪存市场份额仅落后三星0.3%。

此外东芝表示,其Fab 5工厂将包含高级减震结构,并集成多重能效补偿技术以免遭受意外破坏。

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