混合动力汽车挑战电源芯片与功率器件(3)
为了满足电池和功率管理、以及相关的DC/DC转换器的要求，IR的HEV方案系列也包括了具备非常低EMI和优化了的开关性能的驱动器及开关。例如最新的DirectFETMOSFET产品便完全不用键合线，并且因为消除了大部分的寄生电感，以及具备最小的封装电阻，所以能够提供最佳的开关性能。除了领先行业的低导通电阻、卓越的开关性能和增强了的温度能效(例如双侧散热)，这款十分先进的无键合线芯片尺寸封装让设计的体积显著减小，特别适用于高功率要求或者如HEVDC/DC转换器这些快速开关应用。
AllegroMicroSystems公司具有故障诊断和报告功能的全桥式MOSFET预驱动器A4940，采用超小型封装，提供灵活的输入接口、自举监控电路、宽泛的工作电压(5.5至50V)和温度(40℃至+150℃)范围。该器件特别针对使用大功率电感负载(如：直流电刷电动机)的汽车应用而设计。
压电喷射或高强度照明等其它应用需要100V到200V的功率器件和驱动器。而点火IGBT和混合动力电动汽车在使用300V到1,000V以上的IGBT。飞兆半导体公司的栅极驱动器FAN7080x系列，让工程师开发出在所有操作条件下更准确、精密的燃油喷射控制系统，从而提高燃油效率。
这些栅极驱动器在高侧和桥驱动器应用中驱动MOSFET和IGBT，如直接燃油喷射系统和电机控制。与市场上同类器件相比，它们的静态功耗减少一半以上(静态电流100μA对比240μA)，容许设计人员优化系统和扩大工作范围。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)和功率MOSFET作为混合动力汽车的核心技术，吸引功率半导体厂商纷纷瞄准这个庞大的市场。ISuppli曾预测汽车IGBT市场有望以17.2%的年复合增长率高速发展，位居汽车电源管理器件之首，MOSFET市场增长居其次。虽然在未来几年中混合动力车辆还将只是占据车辆市场的一小部分，但混合动力对逆变器和DC/DC的集中需求将形成市场对IGBT和功率MOSFET的巨大需要。
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