三星居首闪存芯片厂一季度营收排行

来源：中关村在线　作者：秩名　责任编辑：admin　发表时间:2011-05-11 10:24　

核心提示：1Q11 NAND Flash市场受到12月中东芝/晟碟阵营工厂跳电事件影响到1月NAND Flash市场的供给量，中国农历年长假前的库存回补需求，2月下旬记忆卡UFD通路市场开始进入传统淡季，3月初Apple发表iPad(报价参数评测图库) 2的新产品上市效应及3月中日本大地震带来

1Q11 NAND Flash市场受到12月中东芝/晟碟阵营工厂跳电事件影响到1月NAND Flash市场的供给量，中国农历年长假前的库存回补需求，2月下旬记忆卡&UFD通路市场开始进入传统淡季，3月初Apple发表iPad(报价参数评测图库) 2的新产品上市效应及3月中日本大地震带来短中期的供给面不确定因素等的多空复合因素的影响下，改变了1Q淡季市场的原本型态，使得价格出现较戏剧性的起伏变化，1Q11整体品牌NAND Flash供货商的ASP下跌约3% QoQ，就需求面而言 1Q11的记忆卡及UFD通路市场的需求依然疲软，但来自某些平板计算机及智能型手机客户的OEM订单依然稳定地成长，使得1Q11整体NAND Flash品牌供货商的位出货量得以成长约13% QoQ，故整体NAND Flash品牌供货商的1Q11营收成长约9.9% QoQ成为53亿6千3百万美元。

依1Q11 NAND Flash品牌厂商季营收排行来看，三星(Samsung)营收为19亿4千1百万美元，市占率为36.2%，仍维持第一；东芝(Toshiba)营收为18亿8千3百万美元，以市占率35.1%仍排名第二；美光(Micron)为第三名，营收为6亿1千万美元，市占率为11.4%；海力士(Hynix)为第四名，营收5亿7千4百万美元，市占率为10.7%；英特尔(Intel)列名第五，营收为3亿5千5百万美元，市占率为6.6%。

1Q11品牌NAND Flash供货商营运分析

三星电子

1Q11三星受惠于来自某些智能型手机及平板计算机等系统产品客户的需求畅旺，因此得以弥补在记忆卡& UFD零售通路市场的疲弱需求，故1Q11季位出货量得以成长约20% QoQ以上，ASP则约下跌约10% QoQ，再加上受韩圜小幅升值的影响，因此1Q11的季营收成长约8.8% QoQ成为19亿4千1百万美元，1Q11市占率成为36.2%，三星预期2Q11来自系统客户的OEM订单仍将稳健，但来自记忆卡& UFD通路市场客户的需求仍将疲弱，故其2Q11的位出货量将可望成长约30% QoQ以上，但因2Q11 市场多空变数较多故其仍在观察后续的价格走势变化，2011年三星将会以持续提高27nm制程产品的产出比重及于2H11转进21nm新制程技术来强化其成本竞争力，并开发新的嵌入式(embedded)产品及SSD等来提高其来自系统产品客户的销售比重。

东芝电子

东芝受12月初发生跳电意外的影响，使得其1-2月的产出量也因之减少，同时来自某些智能型手机及平板计算机系统客户的OEM订单及记忆卡策略伙伴的需求仍佳，使得价格呈现小幅下跌及位出货量稳定增加的状况，因此1Q11季营收小涨约8% QoQ成为18亿8千3百万美元，1Q11市占率成为35.1%。2011年东芝也将持续地提升24nm新制程技术的产出比重及于2H11转进19nm新制程技术来强化其成本竞争力，与晟碟(SanDisk)合资的300mm Fab5新厂也预计在2H11开始量产，东芝也将获得约一半的新产能，同时也将会开发嵌入式产品及SSD来持续提高系统产品客户的销售比重，以因应新兴智能移动装置的成长需求。

美光科技

上季美光受惠于来自某些系统客户OEM订单，自有Lexar零售通路及合并Numonyx后所带来的嵌入式产品新客户等助力下，季位出货量成长约20%QoQ以上，但在部份产品ASP下跌的影响下，使得上季营收成长约12.1% QoQ成为6亿1千万美元，上季的市占率为11.4%，由于1Q11时主力制程技术多已转为25nm，故美光预估其下一季的位产出量约成长10% QoQ，在看好系统产品客户稳定需求及考虑日本地震后可能带来的供给变量下，美光预期其下一季的ASP可望能有微幅的上涨，另外美光与英特尔合资的300mm新加坡新厂的月产量将可望在2011年底前逐渐增加到6万片，2011年美光也将进一步提升来自新兴智能移动装置的嵌入式产品及SSD的销售比重。

海力士半导体

1Q11海力士在提高来自系统产品客户的销售比重以来降低记忆卡&UFD通路市场疲弱需求的努力下，因此1Q11 位出货量增加约15% QoQ，但ASP则与上季维持持平的状况，故1Q11季营收成长约12.5% QoQ成为5亿7千4百万美元，1Q11的市占率成为10.7%，2Q11海力士在看好来自某些智能手机及平板计算机等系统客户的OEM订单依然稳健故预期其2Q11的位出货量将成长约30% QoQ以上，同时在考虑日本地震后可能带来的供给紧缺因素将有助于减缓记忆卡&UFD通路市场淡季效应下，海力士预期其2Q11 ASP将小幅下跌约5%QoQ，2011年海力士将会持续提高26nm新制程技术的产出比重及于2H11转进20nm的新制程技术来强化其成本竞争力，同时也会开发嵌入式产品及SSD新产品以持续提高系统产品客户的销售比重。(责任编辑：admin)

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