中芯国际2010年净利润1400万美元(2)

通讯产品佔贡献收益总额的49%，继续成为本公司最大业务分部。同样地，消费产品贡献的收益比例自二零零九年的38%增至二零一零年的40%。本公司的北美客户（包括主要的集成设备制造商及芯片设计公司）对通讯产品（主要为移动电话、网络及WLAN（无线区域网络）应用产品）的需求强劲，而中国客户则对消费及通讯产品（包括数码电视、电视机顶盒、移动电话，可携式媒体播放器(PMP)及个人电子助理(PDA)产品）的需求强劲。

在按技术标准划分的收益方面，0.13微米及以下制程的收益自二零零九年的48%增至二零一零年的52%，而65纳米技术对二零一零年晶圆收益贡献5%。另外，45纳米低功耗技术开发如期进行，本公司同时将技术供应扩展至40纳米，另外扩充至包括55纳米。

二零一零年，本公司新增41名客户，大部分新客户为中国的芯片设计公司，本公司营收因此录得高速增长。尤其是，无论按收益计算，抑或按採用先进技术的新产品（部分为65纳米技术）数量计算，本公司的中国业务一直稳步增长。此项趋势亦显示，中国的创新与设计能力正以高速赶上世界各国。在中国的芯片设计公司中，具备创新设计与产品且潜力优厚的一众新星持续出现，本公司为该等公司提供多款应用技术，包括CMOS图像感应器(CIS)、CMMB移动电视、高清电视、RFID、无线产品及其他产品。为达到此项目标，中芯国际维持与中国现有客户及新增客户一贯合作承诺，进而紥稳作为市场上领先代工企业的地位，与此同时，本公司将继续拓展全球市场。

研发

本公司二零一零年的研发开支为1.749百万美元，佔本公司销售额11.2%。

研发工作主要集中于本公司的逻辑晶圆及系统晶片(SOC)业务。中芯国际于二零一零年开创多个重要里程碑。年初，中芯国际向格科微电子以CMOS图像传感器加工技术交付10万片8吋晶圆。Synopsys于5月宣布开始提供用于65纳米低漏电工艺技术的经硅验证和获得USB标志认证的DesignWareUSB2.0nanoPhy知识产权。此外，本公司与领先芯片设计公司合作无间，共同研发65纳米及40纳米的低漏电工艺技术。至于系统晶片(SOC)之技术，ARM与中芯国际协定在65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的ARM领先物理IP库平台。我们65纳米低漏电工艺已成功步进量产阶段，自二零零九年第三季度量产开始，累计已付运晶圆超过1万片，大多在其北京300mm芯片厂生产。

本公司聘用约超过451名研发人员，具备半导体行业经验与全球及中国着名大学学府高等学位。

二零一一年展望

代工市场不断增长，巩固了本公司整体的基础，故此本公司二零一一年的前景相当乐观。

二零一零年，本公司录得净收入及经营收入，两者均转负为正。展望未来，我们致力维持可持续的盈利能力。我们的产品组合不断优化，65纳米的产能继续提升，客户趋向需求平均售价较高技术更先进的制程。二零一一年，我们的资金开支主力用于生产需求殷切且平均售价较高的12吋晶圆。

鉴于整体代工市场步入佳景，中国市场更加强大，我们会继续努力争取商机，再创佳绩。