台积电代工赛灵思宣布开始交付28nm HPL制程FPGA芯片初期样品

来源：eetimes　作者：秩名　责任编辑：admin　发表时间:2011-03-22 08:59　

核心提示：赛灵思公司宣布其28nm制程7系列FPGA芯片开始交付初期样品芯片，这款芯片使用的是台积电公司的28nm HPL制程，目前首批已经开始交付样品芯片的型号为Kintex-7 K325T。

赛灵思公司宣布其28nm制程7系列FPGA芯片开始交付初期样品芯片，这款芯片使用的是台积电公司的28nm HPL制程，目前首批已经开始交付样品芯片的型号为Kintex-7 K325T。

赛灵思公司还表示，其所有基于28nm制程的7系列FPGA芯片均将采用与Kintex-7 FPGA系列家族产品一样的内部架构，因此其客户现在便可以开始对基于 Artix-7/Virtex-7等未来型号FPGA的产品的开发设计。

除了已经在发送初期样品芯片的Kintex-7 K325T FPGA型号之外，赛灵思Virtex-7 485T FPGA以及2000T逻辑芯片产品也将分别于今年8月份和11月份开始交付初期样品，而Artix-7 FPGA芯片的初期样品则定于明年第一季度交付。

资料回顾：

根据台积电09年公布的28nm制程发展路线图显示，他们将在28nm节点尺寸上开发出三种不同的制程工艺。这三种制程工艺分别是：

1-“低功耗氮氧化硅电介质工艺”（代号28LP）;

2-"High-K+金属门高性能工艺“（代号28HP）；

3-”低功耗型High-K+金属门工艺“（代号28HPL）。

其中28LP工艺的特征是栅极仍采用传统的氮氧化硅(SiON)电介质+多晶硅栅极进行制造，制造成本较低，实现较为简单，主要用于手机和各种移动应用,高通最近推出的28nm制程产品采用的便可能是台积电的28nm LP制程。

而后两种工艺28HP和28HPL则在栅极部分采用了High-K电介质+金属栅极的结构。另外，台积电28HP/28HPL工艺中采用的是Gate-last工艺技术。

(责任编辑：admin)

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