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全球首款30纳米DDR3内存登陆中国

来源:业界动态 作者:王月宝 责任编辑:admin 发表时间:2011-03-15 12:49 
核心提示:随着三星电子与其他半导体企业之间技术差距的不断拉大,三星金条凭借30纳米产品将在技术方面继续领先于其他品牌长达数年时间,并将以此为依托继续扩大市场份额。目前全球首款采用30纳米级工艺的笔记本内存已经全面到货。

还记得2009年1月,韩国三星电子在经历了2年零4个月之后,成功研发出被业界视为开发极限的40纳米级DRAM内存芯片,并于下半年携三星金条幻影40系列产品火爆登场,成功巩固了三星电子在DRAM领域的领导地位。时隔一年,三星电子对外宣布30纳米级工艺产品2G DDR3面世,并于今年3月正式在中国发售。30纳米级指的是,半导体元件基板电路间的连线宽度为30纳米,与40纳米或50纳米级别相比,能在同样的空间中容纳更多的电路。此外,生产效率方面比40纳米DRAM内存芯片率提高60%;成本竞争力比50纳米和60纳米DRAM内存芯片提高至少两倍以上;耗电量方面与50纳米和40纳米DRAM内存芯片相比,分别减少了30%和15%以上。


 

随着三星电子与其他半导体企业之间技术差距的不断拉大,三星金条凭借30纳米产品将在技术方面继续领先于其他品牌长达数年时间,并将以此为依托继续扩大市场份额。目前全球首款采用30纳米级工艺的笔记本内存已经全面到货,根据三星金条中国区总代华胜泓邦方面表示,率先上市的30纳米内存由于采用更先进的生产工艺,产能大幅提高,因此价格比其他产品更具优势,三星金条笔记本SODDR3 1333/2G内存媒体报价仅为149元,性价比非常高,是笔记本扩容的又一好选择。


 

三星金条笔记本SODDR3 1333/2G正反面共搭载8颗30纳米颗粒内存芯片(颗粒编号M471B5673DZ0-CH9),默认频率为PC3 10600S,等效于1333MHz;采用成熟的FBGA封装模式焊接,有效保证元件稳定运行,同时将性能发挥至极限,默认CL值为9-9-9,达到业内默认状态的最高水平,而1.5V的默认电压也远低于上一代DDR2产品,发热和产品能耗等方面显著降低。全速运行状态下功耗小于3W,节能效果显著,相比于50nm工艺级产品最多可节省30%的功耗,被誉为最新一代绿色内存(Green DRAM)。

无可否认,三星电子在DRAM市场所作出的贡献有目共睹,每一次新技术的诞生和新工艺的应用三星金条都走在科技的最前沿。而这些高品质的内存产品则很好地满足了游戏玩家和发烧友的需求,将30纳米工艺制程融入到内存中,不但可以有效地解决散热等问题,而且还可以最大限度降低内存性能的滞后所带来的瓶颈,充分发挥出处理器应有的性能。对于下一年的展望与猜想,三星金条能否再一次如期为我们带来20纳米工艺产品?我们拭目以待。

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