DRAM芯片触底反弹 三星今年将大赚

2月10日消息，去年3月以后不断下跌的DRAM内存芯片价格已停止下跌势头，开始迅速反弹。有预测称，考虑到三星电子和海力士芯片部门去年分别创下10万亿和3万亿韩元的营业利润，今年将很有可能继续获得丰厚利润。

集邦全球电子交易市集“DRAMeXchange”9日显示，DRAM主力产品(DDR3 1Gb)的现货价格当天上涨到每个1.20美元。DRAM价格去年3月创新高达到3.07美元后，到上月25日已跌至1.05美元。大多数专家指出，反弹幅度相对较大，达到20%，由此可见DRAM价格已经触底。

一般而言，现货价格上涨后，企业间大规模交易价格会在一、两个月后随之上涨。三星电子主管芯片事业的权五铉总经理最近接受记者采访时表示：“DRAM内存芯片的价格反弹期可能会从当初预想的今年第二季度（4月至6月）提前到第一季度(1月至3月)。”

专家指出，DRAM内存芯片的价格反弹期越是提前，三星电子和海力士两家公司受益越大。DRAM价格去年下半年暴跌时，这两家公司将其视为掌控市场的机会，不断提高其占有率。

从DRAMeXchange公布的去年第四季度各国DRAM内存芯片的全球市场占有率情况看，韩国（三星电子、海力士）的占有率达63.7%，创下历史最高纪录。2006年两家公司的总占有率仅为44.8%，此后逐渐提高，从去年第三季度开始超过60%。

内存芯片价格暴跌仍能提高市场占有率的决定性因素就是精密的生产工艺。海力士总裁权五哲上月27日在记者会上表示：“我们将在年底之前开发20纳米级DRAM生产工艺，拉大同后起企业之间的差距。”生产工艺越精细，每张晶片生产的芯片数量就越多。例如，如果生产工艺从40纳米级转换成30纳米级，一张晶片产出的芯片数量就会增加60%。

三星电子和海力士已经引入30纳米级生产工艺，而台湾企业目前采用的还是60纳米级工艺。据悉，内存芯片领域的第三大企业——日本尔必达在40纳米级生产工艺上面临困境。

台湾力晶科技目前正同日本尔必达公司洽谈转让规模排名世界第六位的DRAM业务。据分析，力晶科技与三星电子和海力士之间的技术差距在一年以上，他们认为在耗费巨额投资的DRAM领域同韩企竞争实际上已经失去了意义。