三星高居榜首 闪存芯片厂2010年排行
NAND Flash品牌厂商4Q10营收排行
虽然4Q10记忆卡及UFD通路市场的需求依然疲软,但在平板计算机及智能型手机等系统客户稳定订单的挹注下,使得4Q10整体NAND Flash品牌供货商的位出货量得以成长约16% QoQ。原先市场预期11月中年终假期备货高峰期过后,NAND Flash价格将开始走跌,但在12月初发生东芝的跳电意外后,下游客户预期1月份市场供货将会吃紧的心理下,提前自12月中旬开始回补中国农历年假期所需的库存,使得NANDFlash价格在12月份出现止跌反弹的状况。4Q10整体品牌供货商的ASP下跌约17%QoQ,使得整体NAND Flash品牌供货商的4Q10营收下降约4.2% QoQ成为49亿7百万美元,2010年全体NAND Flash品牌供货商总营收则成长58.7% YoY达到191亿7千万美元。
依4Q10 NAND Flash品牌厂商季营收排行来看,三星(Samsung)营收为18亿4千万美元,市占率为37.5%,仍维持第一;东芝(Toshiba)营收为17亿4千3百万美元,以市占率35.5%仍排名第二;美光(Micron)为第三名,营收为5亿2千6百万美元,市占率为10.7%;海力士(Hynix)为第四名,营收5亿1千万美元;英特尔(Intel)列名第五,营收为2亿8千8百万美元;以2010年全年NAND Flash品牌供货商的营收排行来看,三星市占率为39.2%排名第一;东芝市占率为34.7%排名第二;美光市占率为11.2%排名第三;海力士市占率为9.1%排名第四;英特尔市占率为5.9%排名第五。
4Q10品牌NAND Flash供货商营运分析
三星:
由于4Q10记忆卡&UFD零售通路市场的需求比较疲弱,故三星以努力调高电子系统客户,如智能型手机及平板计算机的销售比重,来因应记忆卡客户采购需求减少的影响,故4Q10季位出货量得以成长约15% QoQ,ASP则约下跌约15% QoQ,再加上受韩圜升值的影响,因此4Q10的季营收下降约9.3%QoQ成为18亿4千万美元,4Q10市占率成为37.5%,三星预期1Q11来自系统客户的嵌入式内存订单依然稳健,使得其1Q11的位出货量仍将成长约30% QoQ,但预期1Q11 ASP价格跌幅,将因记忆卡客户的淡季效应,而下跌约20% QoQ,因此三星也将会持续提高27nm制程产品的产出比重来强化其成本竞争力,并增加嵌入式产品(Movi-NAND & MCP)及SSD等高附加价值产品的销售比重来因应。
东芝:
虽然在12月初发生跳电事件的意外,但并不会影响其12月份的出货量,故在智能型手机及平板计算机等系统客户,及记忆卡策略伙伴的OEM订单挹注下,虽然受到日圆升值及价格下跌的影响,但位出货量仍可维持稳定地成长,因此4Q10季营收小跌约4.3% QoQ成为17亿4千3百万美元,4Q10市占率成为35.5%。4Q10东芝的产出多已转为32nm制程的产品,因此1Q11东芝也将持续地提升24nm新制程技术的产出比重,来强化其成本竞争力,预计与SanDisk合资的300mm Fab5新厂也将在3Q11正式量产,2011年也将会持续地调高嵌入式产品(MCP & eMMC)及SSD等高附加价值的销售比重,以因应新兴移动装置的成长需求。
美光/英特尔:
上季美光在促销策略的影响下,使得系统客户OEM订单及自有Lexar零售通路的位出货量大幅成长约24%QoQ,但ASP也下跌了约20%QoQ,因此上季营收仅微幅成长0.8% QoQ成为5亿2千6百万美元,上季的市占率为10.7%,美光在2011年将会积极地提高智能型手机及平板计算机等行动装置的嵌入式内存业务,同时随着IM Flash的300mm新加坡合资新厂将在1Q11正式量产,预期2011年底月产量可达到60K片300mm晶圆。目前美光的产出多已采用具成本竞争力的25nm制程技术,美光预期本季的位产出约为15%QoQ,而ASP则可能下跌约10% QoQ;英特尔4Q10在接单稳定成长及价格小跌的情况下,4Q10季营收成长约12.5%QoQ,成为2亿8千8百万美元,4Q10市占率成为5.9%,1Q11英特尔也将会推出25nm 64Gb TLC的产品来强化成本竞争力,以因应记忆卡及UFD市场的1H淡季效应,此外1Q11英特尔也将会推出25nm 制程的SSD产品来强化其市场竞争力。(责任编辑:admin)
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