SSD控制器技术助力扩大NVMe主机内存缓冲生态系统
2016年1月7日，M半导体公司宣布，扩展支持高速非易失性内存（NVMe）的固态硬盘（SSD）控制器产品系列，以支持主机内存缓冲（HMB）功能，该功能是其修订版1.2的特色，使DRAM-less SSD能够使用主机内存，并实现可与具备嵌入式DRAM的SSD设计相媲美的性能，且具有很低的成本和功耗。
据融合网|DWRH.net获悉，该公司正在与PC生态系统中的其他领导厂商合作，以加速在新一代低功耗、小型移动计算系统中采用支持HMB的SSD。
该控制器采用了低密度奇偶校验（LDPC）技术，支持3级存储单元（TLC）和3D NAND。可实现小型SSD解决方案，能够集成到超薄平板电脑、Chromebook以及二合一混合式/可拆卸移动PC平台中，并提供无与伦比的性能。
此外，该产品是业界首款支持最新NVMe HMB功能的SSD控制器。通过利用主机系统分配的内存，DRAM-less 88NV1140能够提高性能，且不会受到传统DRAM-less架构所受的限制。
据融合网|DWRH.net获悉，该产品的主要特性和优势：
一、强大的双核Cortex R5 CPU；
二、具硬件加速器的嵌入式SRAM优化了IOPS性能；
三、DRAM-less SSD通过NVMe接口利用HMB，以提高性能，并降低总用料成本；
四、NANDEdge LDPC纠错技术提高了SSD的耐用性，支持15nm TLC和3D NAND；
五、低功耗管理（L1.2）设计；
六、28nm低功耗CMOS工艺。
(责任编辑：方向)
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