意法爱立信推28纳米LTE多模芯片 第三季出样(3)
推出28nm支持LTE多模芯片
针对下一代智能手机平台，意法·爱立信介绍了最新的ModAp平台NovaThor L8540。NovaThor L8540在一颗28nm的芯片上集成了双核1.85GHz ARM Cortex-A9处理器、Imagination的PowerVRTMSGX544图形处理器(GPU)以及LTE/HSPA+/TD-HSPA modem。得益于其超低的电压运行模式，与目前市场上其他平台相比，NovaThor L8540能够将智能手机的续航时间延长30%。
在一个高度整合的方案上，NovaThor L8540将能够提供卓越的多媒体应用，包括1080p视频编码以及60帧/秒的回放，1080p 3D摄录功能，能够支持分辨率为1920x1200的WUXGA的屏幕 ，实现60帧/秒的图像，并支持高达2000万像素的摄像头。
此外，意法·爱立信表示将会在L8540之后的平台引入全耗尽平面晶体管技术（FD-SOI），充分利用现有设计和制造方法。
张代君表示：“随着近一段时期智能手机功能的演进，消费者对智能手机性能的要求增长很快。高主频多核处理器、绝妙的3D图形处理、全高清多媒体以及高速宽带连接已经成为高端设备的标配要求。消费者希望所有这些性能都能在一款又薄又轻，而且非常省电的手机上实现。所有这些诉求，对于手机制造商来说可以简要的概述为：在低功耗、低成本的模式下，提供高性能。而FD-SOI正是能满足这些需求的一项技术。下一代移动消费电子设备将在保持待机时间的条件下，带来更优秀的用户体验。在开发下一代高性能与低功耗应用的过程中，工艺技术的进步与整体平台系统设计创新同样起着十分关键的作用。我们与意法半导体，以及Soitec公司在FD-SOI 方面的合作成果表明，这项技术能够以颇具成本效益的方式获得这些益处，令我们的解决方案实现差异化。”
采用FD-SOI 技术可使芯片平台的性能得到显著提升，而耗电却更少。在最高性能时能够节约35% 的功耗。对于消费者而言，这意味着他们能更长时间地以高速度浏览网页，或者让待机时间增加一天。
“采用FD-SOI技术的28nm平台以及20nm芯片平台有着很大市场潜力，且将成为主要的差异化技术特征。客户对我们会采用FD-SOI技术在下一代产品中表示非常支持。我们首个28nm采用FD-SOI技术的产品计划在今年Q3流片，预计出货会在2013年。”
(责任编辑：admin)
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