ARM Cortex-A9双核测试芯片首次成功流片

来源：赛迪网　作者：赛迪网　责任编辑：admin　发表时间:2012-02-27 22:22　

核心提示：中芯国际首席商务长季克非表示：“通过与ARM和灿芯的密切合作，中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分重视与灿芯、ARM的合作伙伴关系。

2月27日消息，灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK）及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。

该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集32K I-Cache和32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技术，以及包括调试和追踪技术的CoreSight™ 设计套件。除高速标准单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程（sign-off）结果已达到900MHz（WC），预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz。

灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出：“ARM Cortex-A9双核测试芯片采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺，大幅缩短了整个芯片设计时间，并且降低了开发成本与流片风险，这一系列工艺技术和设计上的优化措施将推动高性能的Cortex-A9处理器快速面市。我们很高兴在处理器内核及其优化实现上与ARM及中芯国际建立紧密的合作伙伴关系，该测试芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的成功。有了ARM和中芯国际的支持，我们必将为需要高性能ARM内核的客户带来巨大价值。”

中芯国际首席商务长季克非表示：“通过与ARM和灿芯的密切合作，中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分重视与灿芯、ARM的合作伙伴关系。也正因为他们的努力，我们才能达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我们‘为客户提供最先进的制程技术’的共同承诺是最有力的证明。中芯国际40纳米技术结合ARM Cortex-A9处理器和灿芯的设计流程，将有助于满足高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。”

ARM中国区总裁吴雄昂说：“在中国，ARM坚持致力于与合作伙伴共同努力，创造一个推动创新与成长的生态系统。这个与灿芯半导体、中芯国际共同创造的重要里程碑，证明了通过我们的合作，可以承诺并最终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地满足市场不同领域的需求。”

(责任编辑：admin)

“扫一扫”关注融合网微信号

免责声明：我方仅为合法的第三方企业注册用户所发布的内容提供存储空间，融合网不对其发布的内容提供任何形式的保证：不保证内容满足您的要求，不保证融合网的服务不会中断。因网络状况、通讯线路、第三方网站或管理部门的要求等任何原因而导致您不能正常使用融合网，融合网不承担任何法律责任。

第三方企业注册用户在融合网发布的内容（包含但不限于融合网目前各产品功能里的内容）仅表明其第三方企业注册用户的立场和观点，并不代表融合网的立场或观点。相关各方及作者发布此信息的目的在于传播、分享更多信息，并不代表本网站的观点和立场，更与本站立场无关。相关各方及作者在我方平台上发表、发布的所有资料、言论等仅代表其作者个人观点，与本网站立场无关，不对您构成任何投资、交易等方面的建议。用户应基于自己的独立判断，自行决定并承担相应风险。

根据相关协议内容，第三方企业注册用户已知悉自身作为内容的发布者，需自行对所发表内容（如，字体、图片、文章内容等）负责，因所发表内容（如，字体、图片、文章内容等）等所引发的一切纠纷均由该内容的发布者（即，第三方企业注册用户）承担全部法律及连带责任。融合网不承担任何法律及连带责任。

第三方企业注册用户在融合网相关栏目上所发布的涉嫌侵犯他人知识产权或其他合法权益的内容（如，字体、图片、文章内容等），经相关版权方、权利方等提供初步证据，融合网有权先行予以删除，并保留移交司法机关查处的权利。参照相应司法机关的查处结果，融合网对于第三方企业用户所发布内容的处置具有最终决定权。

个人或单位如认为第三方企业注册用户在融合网上发布的内容（如，字体、图片、文章内容等）存在侵犯自身合法权益的，应准备好具有法律效应的证明材料，及时与融合网取得联系，以便融合网及时协调第三方企业注册用户并迅速做出相应处理工作。

融合网联系方式：（一）、电话：（010）57722280；（二）、电子邮箱：2029555353@qq.com dwrh@dwrh.net

对免责声明的解释、修改及更新权均属于融合网所有。