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SanDisk推最小TLC 128Gb NAND闪存芯片

来源:xbitlabs.com 作者:九门奇人 责任编辑:admin 发表时间:2012-02-25 19:36 
核心提示:SanDisk正在开发第九代multi-level cell (MLC) NAND产品以及第十五代TLC技术。这种工艺以及技术上的结合,将帮助SanDisk公司将更多的信息集成入每一颗内存芯片,并且让内存芯片变得更小,容量更高。

SanDisk公司宣布,该公司已经成功开发上目前世界上最小的128Gb NAND闪存芯片。根据介绍,这款TLC 128Gb NAND闪存芯片的核心面积只有170平方毫米,使用的是19nm工艺。

SanDisk公司部门副总裁Mehrdad Mofidi表示:“生产如此级别复杂性的128 GBNAND内存芯片是一个令人难以置信的成就,这一创新使SanDisk将继续成为一个领导者,帮助我们的客户推出更小,性能更强同时成功也可以更低。”

在19nm节点,SanDisk正在开发第九代multi-level cell (MLC) NAND产品以及第十五代TLC技术。这种工艺以及技术上的结合,将帮助SanDisk公司将更多的信息集成入每一颗内存芯片,并且让内存芯片变得更小,容量更高。另外在缩小体积之后,128Gb NAND闪存芯片将可以带来业界领先的18MB/s的写入笥能。

基于128Gb 3bit闪存芯片的产品将会在今年晚些时候正式上市,目前产量正在提升。

(责任编辑:admin)
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