SanDisk东芝开发3D存储芯片 取代NAND技术
据一份提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件，为了扩大合作，SanDisk与东芝(Toshiba)计划合作开发某些类型的可重写3D存储芯片。
由SanDisk提交的这份文档表示，SanDisk与东芝“将贡献和交叉授权与这项3D合作有关的技术，并将共同开展研发，作为提供知识产权授权的组成部分，SanDisk将接受东芝支付的一定金额的授权费。”
多年以来，东芝和SanDisk一直在NAND闪存方面开展合作。双方目前正在供应43纳米NAND闪存，每单元3位(x3)技术正在开发之中。
市场调研公司ForwardInsights的总裁GregoryWong认为，这项3D技术面临许多挑战。“4级3DR/W内存将必须至少在制程方面追上NAND闪存，才能被视为可与x4NAND闪存竞争，”Wong表示，指的是基于NAND的每单元4位技术。
“这将使3DR/W内存至少要等3-4年后才能问世，”Wong表示，“另一个问题是，8级堆叠是否能够以较高的成品率生产出来。Matrix曾于2003年展示过一款8级堆叠，但采用的是不太先进的0.25μm制程。用领先制程生产8级内存堆叠是另外一回事。”
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