三星成功流片20nm工艺ARM架构测试处理器
韩国三星公司正式宣布，该公司已经成功流片首款基于20nm high-K metal gate工艺的测试处理器。这款测试处理器包括有ARM处理器IP，而此处理器的成功流片也可以让三星公司的客户更好得了解20nm工艺的特性。
三星公司的20nm工艺将会使用第二代gate last high-K metal gate (HKMG)技术，以及第五代应变硅晶元。另外该工艺还将会使用第二代ultra-low k电介质实现功耗的下降。
三星公司此次使用了ARM物理和处理器IP。而ARM公司也提供了完整的测试芯片，包括有ARM Cortex-M0处理核心，ARM Artisan，定制内存，GPIO以及测试架构。而此次流片的成功也证明了三星公司先进20nm工艺的成熟性。实际芯片的商业化生产还需要等待一年左右的时间，而此次测试芯片的推出还只是20nm工艺获得成功的第一步。
三星公司高层Kyu-Myung Choi表示：“随着更多的功能集成入单个产品当中，SoC的半导体设计公司需要先进的代工服务，获得复杂得设计保障以及提供生产技术。此次的成功绝对是一个重要的里程碑。此款20nm测试芯片所使用的技术，工具，IP以及我们最先进的工艺，将会为我们的客户解决设计上面临的挑战，从而更快速有效提将他们最新的产品推向市场。”
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