日本震后主流闪存芯片价格上涨5-15%

日本东北地区在3月11日发生9.0级大地震后，虽然初期NAND Flash现货市场已反应，因担心可能的供给短缺状况而出现急涨，但部份NAND Flash供货商在3月上旬时，因对日本震灾后的NAND Flash产业供应链受影响状况仍不清楚，故暂未变动3月上旬的合约价格，但随着东芝/晟碟(Toshiba/SanDisk)的四日市(Yokkaichi)合资厂受地震影响，而将产生一些晶圆投片量的减损，以及部份IC上游原物料的供给量，也将因受灾区厂房停产而产生短缺的消息陆续传出后，NAND Flash供货商们在3月份下旬都已陆续调高NAND Flash的合约报价，累计3月份主流的MLC NAND Flash合约均价上涨约达5-15%，但3月下旬的部份TLC合约均价则出现约10%的跌幅，主要是因有些供货商对其2xnm TLC新产品采取了较优惠的定价策略，以吸引记忆卡及UFD客户于1Q季底前增加其采购量。

但2Q NAND Flash市场的供需状况仍将会受到一些供需不确定因素的影响，就NAND Flash供给面而言：1.) 在考虑东芝/晟碟的四日市合资厂于日本3月地震期间的晶圆投片减损量，以及2Q后期的硅晶圆供货可能吃紧等因素下，我们预估该阵营的2Q产出减少量可能约占其2Q位总产量的10%以下，故也可能使2Q全球NAND Flash位总产出量减少约4%以下。 2.) 就2Q上游硅晶圆的供应状况来看，其中以信越化学(Shin-Etsu Chemical)的白河(Shirakawa)厂停工的影响最大，该厂约占全球硅晶圆约20%左右的产出量，目前仍因设备检修及限电因素而没有明确的复工进度，至于受限电暂时停工的SUMCO米泽(Yonezawa)厂以及MEMC宇都宫(Utsunomiya)厂，因他们在灾区的产能比较小，故对2Q硅晶圆供给的影响也会比较小，以目前NAND Flash厂的库存水位，以及业者的硅晶圆采购调度与内部分配策略来看，预期在5月底前尚不会影响到业者NAND Flash的生产计划。 3.) 若2Q硅晶圆供给持续吃紧，厂商也可能会在内部不同产品的硅晶圆运用配置上做调整，但目前业者仍在观察2Q NAND Flash市场后续的供需发展状况。 4.) 半导体用的BT 树脂(resin)主要供货商三菱瓦斯(Mitsubishi Gas Chemical)及日立化工(Hitachi Chemical)，目前均已计划自3月底起逐步地回复他们位于灾区工厂的部份产能，故预期5月初时来自BT树脂方面的影响将会逐渐获得解决。

就需求面而言：1.) 2Q的记忆卡及UFD通路市场仍将受传统淡季效应的影响。 2.) 日本大地震后 NAND Flash下游终端应用产品如：平板计算机、智能型手机及PC等的零组件供货商位于灾区的部份工厂，目前仍因限电、原材料短缺或检修设备而停工，以下游相关业者现有的库存水位及2Q淡季部份终端产品销售量可能不如原先预期的状况来看，预计在5月中前尚不会影响到业者维持正常的生产计划，同时下游业者近期也开始寻找及测试可行的替代组件，以做为2Q后期的生产应变备用方案。 3.) 考虑灾后日本市场对NAND Flash终端产品的需求短期内将可能会下降，以及部份NAND Flash终端产品的出货量将受限于零件短缺或业者递延部份新产品的铺货时程等因素而减少，故也将可能会影响到2Q或3Q NAND Flash终端产品的销售量。

所幸目前日本灾区的交通基础设施已逐步复元中，且多国专家已加入福岛核电一厂(Fukushima Daiichi nuclear power plant)的抢修工作，灾区的相关问题也可望能尽快地获得改善，另外日本方面也正在进行重启部份备用火力发电厂(Thermo power plant)以及夏季电力供应配置等应急计划，以减少短中期限电因素对其国内生产活动的影响程度，故综观而言我们预期2Q NAND Flash市场的供给及需求量可能都会同时小幅地减少，在3月份NAND Flash合约价已先反应短期供给面不确定因素而大涨后，故4月份NAND Flash市场在上述这些供给及需求面的多空因素相互影响下，预期NAND Flash合约价格可望维持大致稳定，但随着日本东北及关东(Kanto)地区的限电因素在2Q中逐渐获得改善后，预期NAND Flash合约价格将可能会转为反应2Q中的淡季效应而走软。