中微推出用于3D芯片及封装的硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E(2)
昆山西钛的周浩总经理说道：“中微是昆山西钛在先进封装生产中的一个重要合作伙伴，昆山西钛很愿意和这样一个邻近的半导体刻蚀设备供应商合作，来支持我们在TSV技术方面的需求。中微的8英寸硅通孔刻蚀设备经过不断的改进，现有设备已证明有很好的工艺性能、高产出率和低生产成本，这些都为确保我们产品的高质量奠定了重要基础。”
“对于我们TSV刻蚀设备的客户来说，提高生产率和单位投资产出率无疑是极其必要的。”中微副总裁倪图强博士说道，“客户的产品线在不断演变，这就意味着他们需要这样一种设备 -- 可以灵活、最大范围地刻蚀加工各种产品。而客户采用了Primo TSV200E(TM)就能以更快的速度加工晶圆片，同时保证高可靠性和低成本。我们很高兴中微首批TSV刻蚀设备已经进入了像昆山西钛微电子和江阴长电这样的创新型企业。”
Primo TSV200E(TM)的核心在于它拥有双反应台的反应器，既可以单独加工单个晶圆片，又可以同时加工两个晶圆片。中微的这一TSV刻蚀设备可安装多达三个双反应台的反应器。与同类竞争产品仅有单个反应台的设备相比，中微TSV刻蚀设备的这一特点使晶圆片产出量近乎翻了一番，同时又降低了加工成本。此外，该设备具有的去耦合高密度等离子体源和偏置电压使它在低压状态下提高了刻蚀速率，并能够在整个工艺窗口中实现更高的灵活度。中微具有自主知识产权的气体分布系统设计也提高了刻蚀速率和刻蚀的均匀性，并在整个加工过程中优化了工艺性能，射频脉冲偏置则有效减少了轮廓凹槽。
中微8英寸硅通孔刻蚀设备现已面市，12英寸的硅通孔刻蚀设备也正在研发中。欲了解更多关于设备的详细信息，请访问 http://amec-inc.com/products/TSV.php?lang=zh_CN。
*数据来源：Yole Developpement 公司2011年7月《3D IC和TSV刻蚀技术》
关于中微半导体设备有限公司
公司致力于为全球芯片生产厂商和相关高科技领域的世界领先公司提供一系列高端的芯片生产设备。客户正是运用了中微先进的刻蚀设备和技术，制造了电子产品中最为关键的芯片器件。中微的高端设备在65、45、32、28、22纳米及以下的芯片生产领域实现了技术创新和生产力提高的最优化。中微公司以亚洲为基地，总部位于中国，其研发、制造、销售和客户服务机构遍布日本、南韩、新加坡、中国台湾等地。
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