Sematech与合作伙伴连手克服3D芯片技术挑战
美国半导体科技研发联盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)与美国半导体产业协会(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC),日前共同定义出了wide I/O DRAM 之后的未来3D芯片(3D IC)技术杀手级应用,以及将遭遇的挑战。
Sematech 表示,上述单位的众学者专家经过讨论之后,定义出异质运算(heterogeneous computing)、内存、影像(imaging)、智能型感测系统(smart sensor systems)、通讯交换器(communication switches),以及电力输送/调节(power delivery/conditioning)等几项颇具潜力的未来杀手级应用技术;而与这些应用相关的技术挑战,则包括:降低3D芯片架构成本、系统/架构之先导(pathfinding)、通用的异质多裸晶堆栈测试问题以及散热管理。
“克服下一代应用的共同技术挑战,是加速 3D芯片技术推广的关键;”Sematech总裁暨执行长Dan Armbrust表示:“Sematech旗下的3DEC在相关合作研发计划中的下一阶段目标,是针对这些共同的技术挑战,提供可用的基础架构。”
Sematech指出,在 wide I/O DRAM 问世之后,市场的高需求、以及各种证实3D整合优势的大量应用,将驱动产业界对3D芯片技术更进一步的研发;那些优势包括了较低的功耗、较高的性能,功能性的增加以及较低成本。
自2011年1月以来,Sematech的3DEC率先投入3D芯片标准与规格的开发;为了迎接未来3D整合芯片与系统的时代,3DEC定义出3~5年内可见的相关杀手级应用与共同技术挑战,好为 wide I/O DRAM 之后的3D芯片技术铺平道路。
3D芯片技术的发展已经来到了一个转折点;“SIA主席Brian Toohey表示,产业界已经藉由许多工作体会到合作的好处,此一正在发展的伙伴关系,将把3D芯片整合技术推向下一个阶段,让业界充分了解相关技术为半导体制造与设计领域带来的商机潜力。Sematech的3DEC在2010年12月成立以来,专注于为具成本效益的TSV制程3D芯片解决方案,推动建立横跨整个产业的支持生态系统。
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