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LED芯片及封装设计与生产动态

来源:互联网 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-11-07 14:26 
核心提示:座落在美国加州都柏林的Verticle公司发表了他们称作为第一款六角形的LED芯片。这种蜂窝型的LED芯片是竖向结构的,以InGaN为基础的蓝色 LED芯片, 它们是特别为高压应用制造的。

LED产商Epistar展示了他们关于能让冷白色(5000k)LED达到162Lm/W的高电压LED芯片的研究结果。

该芯片被描述为一个单片集成,直流多阵列的高电压应用LED芯片。 Epistar预计这个产品将成为普通照明的主流产品。

通过20 mA的驱动电流和47V电压达到162Lm/W的发光效率,相应的功耗为0.94W.在这些条件下,45-mil的芯片可以产生152Lm.

Epistar说HV-LED相对于传统LED有着低电力需求和更高的插座效率, 因为其强大的新高电压芯片的设计。据公司称, HV-LED对电压和电流变化的灵活性可以简化LED的包装和电路设计,从而使整体效率提高。

SMASH项目的进展

SMASH项目公开发表了第二封信。SMASH的目标是通过建立破坏性的方式通过纳米结构的材料制造LED, 达到高效率和低成本的设备。这些目标会通过超低缺陷的纳米结构模板组成的LED的外延生长和基于纳米棒发射的LED结构的发展来完成。这些方法会对生产费用有很大的影响,因为它们允许大面积但是低成本的基板(比如说硅)的增长。

最为关键的一个步骤是MOVPE的。这是由Osram Opto Semiconductor与布伦瑞克技术大学紧密合作而一起完成的。

SMASH的网站和信都包含了一份2010年International Workshop on Nitride Semiconductors(2010年9月19-24)的总结。

Verticle展示了第一款六角形的LED芯片

Semiconductor Today上的一篇文章提到: 座落在美国加州都柏林的Verticle公司发表了他们称作为第一款六角形的LED芯片。这种蜂窝型的LED芯片是竖向结构的,以InGaN为基础的蓝色 LED芯片, 它们是特别为高压应用制造的。CEO Mike(M.C.)说,和传统的正方形或者长方形结构的LED芯片相比,一个六角形的芯片在各个方面比如成本,光输出效率和束流剖面都会获得收益。

住友电工开发出6英寸的GaN基板

据日本的一本杂志上说,住友电工开发了世界上第一块直径为6英寸的应用在白色LED上的GaNg基板。 之前,该公司为蓝紫色激光器生产2英寸的GaN基板, 这使蓝光DVD播放机得以发明和生产。 住友电工开始大规模的生产为白色LED灯使用的2英寸GaN基板, 与此同时也在发展大直径基板。

这个新开发出来的6英寸基板的表面是一个一极化c面。住友电工现在正在努力的尝试着大规模的生产它,并且希望这种材料能被白色LED灯和功率器件广泛的使用。

纳米棒的阵列产生天然白色的LED

据OptolQ上的一篇论文所述, 国立清华大学(台湾新竹市)的研究员为无磷白色LED灯发明了一种新的配方。这种模式是把GaN纳米棒排列在硅(Si)基板上,这为日益增长的无压力 InGaN/GaN的异质结构纳米棒提供了一个模板,这项技术可以用来消除压电极化效应。

LED的包装和组装

在MEPTEC半导体封装发展蓝图研讨会(2010年10月份在圣克拉拉,加利福尼亚举行)上, ElectrolQ采访了TechSearch International的总裁Jan Vardaman.他说LED的包装和组装还有可发展的空间。

在这场和Debra Vogler(一个资深的技术编辑)的采访中,Vardaman 讨论了蓝宝石基板和SiC基板, 顺带着讨论了一下LED生产商现在所使用的多种多样的方法。 还讨论了基板晶片的尺寸和LED的生产准则。

蓝色的半极化GaN LED

来自于圣巴巴拉的加州大学(UCSB)和三菱化学株式会社(日本茨城县)的研究人员们为以氮化镓(GaN)为基础的蓝色LED新开发了一项背面粗化技术。据OptolQ网站上的一篇论文声称, 这一技术使以氮化镓(GaN)为基础的蓝色LED在性能和生产方法上可以和纤维锌矿c平面LED相提并论。

(责任编辑:admin)
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