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SEMICON West2011议题回顾:光刻界新动向总结汇总

来源:cnBeta 作者:electroiq 责任编辑:王月宝 发表时间:2011-07-17 10:29 阅读:
核心提示:SEMICON West 2011会场本周又传来了许多令人感兴趣的半导体业界信息,其中本周三的会议内容多与光刻技术有关,一起来回顾一下。 GlobalFoundries透露20nm制程部分细节: 首先是GlobalFoundries工程师Mark Kelling的发言,他在发言中提前透露了GlobalFoundrie

SEMICON West 2011会场本周又传来了许多令人感兴趣的半导体业界信息,其中本周三的会议内容多与光刻技术有关,一起来回顾一下。

GlobalFoundries透露20nm制程部分细节:

首先是GlobalFoundries工程师Mark Kelling的发言,他在发言中提前透露了GlobalFoundries公司20nm节点制程产品的一些细节参数,以及将用于制造20nm制程产品的大致光刻技术方案。

据他透露,制程细节参数方面,相比22nm节点,GlobalFoundries20nm节点的多晶硅层节距(即栅节距)将从100nm缩减到80nm,而金属层节距(相当漏源极触点节距)将从80nm缩减至64nm。

光刻技术方面,如以前公布的信息类似(之前GlobalFoundries的说法是,稳妥起见,20nm节点会同时使用EUV和193i+DP两种技术制作芯片产品,由客户自由选择),GlobalFoundries公司表示20nm节点制程他们将使用双重成像技术,不过这次他们透露将采用的双重成像技术使用了一种特殊的负调光阻胶显影技术(negative-tone develop resist process),不过他拒绝透露这种特殊技术的更多细节。

PS:

“负调光阻胶显影技术”的说法听起来似乎与双调显影技术(DTD:Dual tone develpoment)存在某种类似的联系,所谓DTD指的就是采用特殊的双调显影型光阻胶材料,只进行一次曝光,不过曝光完成后进行两次显影处理,第一次为正调显影,即曝光剂量大于某门限值的光阻胶被消除;第二次为负调显影,即曝光剂量小于某门限值的光阻胶被消除。如此便可达到双重成像的效果。

尼康ASML介绍新款193i光刻机及EUV光刻机产品信息:

接着是两大光刻设备厂商荷兰ASML和日本尼康的发言。两家公司均展示了其193nm光刻机和EUV光刻机的新版本未来发展蓝图计划。

尼康表示,其即将发布的621D光刻机(193nm液浸式设计)系统的套准精度将可控制在2nm(3σ值)以内水平,这款新机型同时还将应用光刻机扫描曝光参数自动调节技术( scanning tuning exposure control),即根据晶圆实际形貌和实际的电路布局状况,微调焦距和曝光剂量,以此减小光刻制程变差,提高193nm液浸式光刻机性能的技术手段。更多有关NSR-S621D机型的信息,请参阅我们此前的有关报道。

另外,尼康还表示其试验型EUV-1光刻机数值孔径(NA)将达0.25,而制造用型EUV-HVM光刻机的数值孔径(NA)将达到0.4水平。

另外一家光刻大厂ASML则老调重提,展示了从试量产型的NXE:3100机型(NA=0.25),到正式量产型NXE:3300B(晶圆产出率125片/小时)的一些技术参数,至于人们所关心的光源功率方面,ASML表示3300B所用光源可向晶圆表面传送的光源能量将达到15mJ水平。(责任编辑:王月宝)

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