联发科技：TD-LTE芯片研发引入竞争扩大市场需求

媒体：目前，终端芯片的发展趋势有哪些?

吕向正：TD终端芯片的发展趋势主要体现在以下五个方面：

1、调制解调器(Modem)：向HSPA升级，并进一步往HSPA+发展。HSPA+是新型高速分组接入(HSPA)无线宽带技术，可提供比3G网络更高的数据吞吐能力。

2、时尚多媒体：支持更高像素(200万～500万)的摄像头、3.2英寸HVGA高清大屏幕和中国移动多媒体广播(CMMB，以TD终端为主)。

3、移动互联网：苹果产品(iPhone、iPad)的流行以及中国移动广布WiFi热点，使无线互联网和WiFi接入逐渐成为TD终端芯片必须支持的个人随身热点应用。

4、用户体验：类智能用户界面(UI)需求，包括3D画面和全网页浏览器，全面提升用户的互联网体验。

5、近距离通讯(NFC)：其应用技术也是TD热门发展趋势之一。

媒体：目前，备受国内关注的TD-LTE的终端芯片相对其它三种芯片还需要在哪些方面提高?TD-LTE终端芯片未来的发展路径是什么?

吕向正：不同制式网络的终端芯片发展速度不同。

EVDO：该技术仅为极少数的芯片厂商所独占，芯片产品从现有的Rev.A向Rev.C进展，但其中领先的厂商也开始支持多模FDD-LTE。

TD-LTE：芯片从单模发展到多模，而且向下与现有的GSM、TD-SCDMA等技术相兼容。目前各方都在做积极的技术准备。FDD-LTE：芯片在欧美与日本开始小规模地进入商用，向下也支持2G/3G技术，已从3GPPR8发展到了R9标准。

TD-LTE终端芯片首先要扩大市场需求，才能拥有像HSPA+或EVDO一样的经济规模，从而加速技术演进，最终达到成本收益目标。TD-LTE终端芯片未来的发展路径势必是更高集成度、更低功耗和更低成本的方向;多模多频必将成为主流。

媒体：目前，TD-LTE终端芯片的发展还面临哪些挑战?

吕向正：除了常见的终端发热与功耗过高等等情况，TD-LTE的Band40和Band7信号与ISMBand过于接近也是一个突出的难题，这会导致LTE信号与蓝牙(Bluetooth)或Wi-Fi信号互相干扰。此外，日后支持国际漫游的频段，智能终端合理的成本与大小，兼顾产品性能的同时又要兼顾许多天线与射频通讯模块的设计，此类种种都将是TD-LTE终端芯片发展的挑战。

媒体：TD-LTE商用时，将会面对中国联通和中国电信的3G网络的竞争，在终端芯片方面，TD-LTE终端芯片在竞争中有哪些优势?

吕向正：TD-LTE芯片的优势在于中国至今已有不少厂商投入TD-LTE技术的发展，在产业自主化与对国际标准的掌握上，已经具有了相当优势。从长期来看，国内TD-LTE芯片的自主研发可避免传统3G技术任由国外大厂控制宰割的局面。

就TD-LTE而言，首先需要相当长的时间与巨额的成本来广泛建设基站;单模TD-LTE芯片的应用与市场有限，必须要多模才能适合移动智能终端的发展。

使用UMTS/HSPA的中国联通和使用CDMA/EVDO的中国电信，两者皆有庞大的国际市场与相应的供货商产业链。面对来自两者的激烈竞争，中国移动在推广TD-LTE时必须将蛋糕做大，吸引同时具备GSM、TD-SCDMA、LTE和WiFi等技术的芯片厂家进入市场，后来的新技术才会有竞争力。