上海蓝光侧向外延技术大功率芯片光效达 120 lm/w

来源：OFweek半导体照明网　作者：秩名　责任编辑：admin　发表时间:2011-05-31 13:34　

核心提示：上海蓝光提出了一种新型的无掩膜的侧向外延技术，以在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜；该方法的另外一个显著特性是在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑。衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高了其上LED的光提取效率。上海蓝光（Epilight）郝茂盛

上海蓝光提出了一种新型的无掩膜的侧向外延技术，以在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜；该方法的另外一个显著特性是在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑。衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高了其上LED的光提取效率。

上海蓝光（Epilight）郝茂盛博士介绍，该公司是大陆首家从事GaN基LED外延片、芯片研发和产业化生产的企业，位于中国国家“863”计划光电子领域科技成果转化基地。至2010年底，上海本部公司拥有MOCVD生产线20条，年产蓝绿LED芯片100亿颗。同时，该公司安徽生产基地计划上200条MOCVD生产线，一期建50条，二期建150条。

该公司主要产品有氮化镓基高亮度蓝、绿光外延片及芯片。其中大功率芯片（45*45 mil）发光效率达到120lm/w @ 350mA，量产水平已达100 lm/w @ 350mA。小功率芯片（10*23 mil）的量产水平已达7lm @ 20mA。

除此外，郝博士还介绍了高端技术芯片，如PSS技术，外延技术，芯片工艺，薄膜垂直结构技术及界面粗化技术等。

最后，他总结说，上海蓝光提出了一种新型的无掩膜的侧向外延技术，以在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜；该方法的另外一个显著特性是在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑。衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高了其上LED的光提取效率。

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